4Х Полу-изолируя вафлю с низким ТТВ/БОВ/ВАРП, фиктивную ранг СиК, 3" размер

4Х Полу-изолируя вафлю с низким ТВ/БОВ/ВАРП, фиктивную ранг СиК, 3" размер

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.

Применение Полу-изолировать вафлю СиК фиктивную:

СиК фиктивная вафля может использовать внутри исследует термальных и механических полей, и применение детали должно быть следующим образом:

1. Исследует в проводимости СиК термальной
2.Ресеарчес фонона СиК
3.Ресарчес в твердости СиК и механических свойствах

Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации:

СВОЙСТВА ПОЛУ-ИЗОЛИРОВАТЬ МАТЕРИАЛ КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА

4Х Полу-изолируя вафлю СиК, фиктивную ранг, 3" размер

дефекты кристалла сик

Больший часть из дефектов которые наблюдались в СиК также наблюдалась в других кристаллических материалах. Как вывихивания, штабелируя недостатки (SFs), границы (LABs) низкого угла и близнецы. Некоторые другие появляются в материалы имея смесь зинг или структуру вуртцита, как ИДБс. Микропипес и включения от других участков главным образом появляются в СиК.

Исторический недостаток вафель СиК

Возпроизводимые вафли разумных последовательности, размера, качества, и наличия массовое производство предпосылки форкоммерсиал электроники полупроводника. Много материалов полупроводника могут быть мельтеданд возпроизводимо рекристаллизованным в большие одиночные кристаллы с помощью кристалла семени, как в метод теКзокральски используемый в изготовлении почти всех кремниевых пластин, позволяющ разумно ларгеваферс быть произведенной массой. Однако, потому что СиК возгоняет вместо плавить на разумно аттайнаблепрессурес, СиК не может вырастись обычными методами мельт-роста. До 1980, электронные устройства експерименталСиК были ограничены к небольшому (типично ~1) , незаконно сформированное плателецграун СиК кристаллическое по мере того как субпродукт процесса Ачесон для изготовлять промышленные абразивы (например, шкурку) или процессом Лелы. В процессе Лелы, СиК возгонянный от поликристаллических аттемпературес порошка СиК около 2500°К случайно сконденсирован на стенах полости формируя небольшие, хэксагоналлишапед бляшки. Пока эти небольшие, нонрепродусибле кристаллы позволили некоторое основное електрониксресеарч СиК, они не были ясно соответствующие для массового производства полупроводника. Как таковой, кремний стал тедоминант полупроводником заправляя топливом полупроводниковую технологическую революцию, пока интерес в СиК основанных на микроелектрониксвас ограничивался.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.