Внеосевой тип вафля 4Х н полупроводника СиК, ранг исследования, 3" размер

Внеосевой тип вафля 4Х н полупроводника СиК, ранг исследования, 3" размер
 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.

Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
 

тип вафля 4Х н полупроводника СиК, ранг исследования, 3" размер

дефекты кристалла сик

Больший часть из дефектов которые наблюдались в СиК также наблюдалась в других кристаллических материалах. Как вывихивания,

штабелируя недостатки (SFs), границы (LABs) низкого угла и близнецы. Некоторые другие появляются в материалы имея смесь зинг или

структура вуртцита, как ИДБс. Микропипес и включения от других участков главным образом появляются в СиК.
Высокотемпературная деятельность прибора
Широкая энергия бандгап и низкая концентрация внутреннеприсущей несущей СиК позволяют СиК поддерживать
поведение полупроводника на гораздо выше температурах чем кремний, который в свою очередь позволяет полупроводник СиК
функциональность прибора на гораздо выше температурах чем кремний. Как обсуждено в основном
учебники физики электронного устройства полупроводника, электронные устройства полупроводника действуют
в диапазоне температур где внутреннеприсущие несущие незначительны так, что проводимость будет проконтролирована мимо
преднамеренно введенные примеси допант. Фуртерморе, концентрация внутреннеприсущей несущей
 основное префактор к известным уравнениям управляя нежелательной утечкой обратн-смещения соединения
течения. По мере того как температура увеличивает, внутреннеприсущие несущие увеличат в геометрической прогрессии так, что нежелательная утечка
течения растут неприемлемо большими, и окончательно на неподвижных более высоких температурах, полупроводник
деятельность прибора преодолевана бесконтрольной проводимостью по мере того как внутреннеприсущие несущие превышают преднамеренное
допингс прибора. В зависимости от специфического дизайна прибора, концентрация внутреннеприсущей несущей кремния
вообще ограничивает деятельность прибора кремния к температурам соединения <300>концентрация несущей интринсик теоретически позволяет деятельность прибора на превышении температур соединения
деятельность прибора 800°К. 600°К СиК экспириментально была продемонстрирована на разнообразие
Приборы СиК.
Способность установить ункоолед высокотемпературную электронику полупроводника сразу в горячее
окружающие среды включили бы важные преимущества к сверлить автомобильных, космических, и глубокой скважины
индустрии. В случае автомобильных и космических двигателей, улучшенная электронная телеметрия и
контроль от высокотемпературных регионов двигателя необходим к более точно контролю сгорание
процесс для того чтобы улучшить топливную экономичность пока уменьшающ загрязняющ излучения. Высокотемпературная возможность
исключает представление, надежность, и штрафы связанные с жидкостный охлаждать, вентиляторы веса, термальные
защищать, и более длинный провод бегут необходимый для того чтобы осуществить подобную функциональность в двигателях используя обычное
электроника полупроводника кремния.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.