Тип вафля На-оси 6Х н СиК (кремниевого карбида), ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер

Тип вафля На-оси 6Х н СиК (кремниевого карбида), ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную индустрию ваферфор СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) электронную и электронно-оптическую. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации.

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

тип вафля 6Х н СиК, ранг продукции, Эпи готовое, 2" размер

Кристаллическая структура СиК

СиК Кристл имеет много различных кристаллических структур, который вызван полытыпес. Самые общие полытыпес СиК в настоящее время будучи превращанными для электроники кубические 3К-СиК, шестиугольные 4Х-СиК и 6Х-СиК, и рхомбохэдрал 15Р-СиК. Эти полытыпес охарактеризованы штабелируя последовательностью слоев бятом структуры СиК. Для получения более подробной информации, пожалуйста запросите нашу команду инженера.

Штабелировать последовательность:

Если мы идем сделать пластинчатую структуру, то мы должны знать толщину каждого плы и угол каждого плы традиционно в градусах определенных от верхнего слоя вниз.

Твердость Мохс:

Грубое измерение сопротивления ровной поверхности к царапать или ссадине, выраженного по отоношению к масштабу изобретенной (1812) немецким минералогист Фридрич Мохс. Твердость Мохс минерала определена путем наблюдать поцарапана ли своя поверхность веществом известной или определенной твердости.

Плотность:

Массовые   плотности или плотность материала своя масса в объем блока. Символ наиболее часто используемый для плотности ρ (строчный греческий рхо письма). Математически, плотность определена как масса разделенная томом:

Ограничиваемое КО. предварительного материала Сямен Повервай, (ПАМ-СИАМЭН) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника сложного полупроводника материального интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал СиК&ГаН (вафля и эпитаксия СиК, вафля ГаН и вафля епи) и материал ИИИ-В (обслуживание субстрата и епи ИИИ-В: Вафля ИнП, вафля ГаСб, вафля ГаАс, вафля ИнАс и вафля ИнСб). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля ГаН включая ГаН на Си, ГаН на СиК и ГаН на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны РФ.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. ПАМ-СИАМЭН имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30еарс, и имеет глубокое исследование на физическом, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию иметь уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.