Тип вафля к (0001) 6Х н СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размеры

 
Тип вафля к (0001) 6Х н СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размеры
 
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6ХСиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Здесь показывает детальную спецификацию
 

Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

 
 
тип вафля 6Х н СиК, ранг исследования, Эпи готовое, 2" размеры
 
 

Здесь мы показываем вас и детализируем спецификации следующим образом:

исследуйте ранг, епи-готовое 6Х-СиК (0001) для ростов эпитаксии молекулярного луча.
Спецификации для 6Х-СиК (0001):
Субстрат, СиК,
ориентация <0001>0дег +/-0.5дег.
дя. 50.80+/-0.38 мм
толщина: 0,43 +/-0.025мм
один бортовой полировать епи
Н типа, Н-дано допинг 1Э 18-19 /CM3
Рес. 0.02~0.1 Ω•см
исследуйте сторону двойника плотности <> микропипе ранга отполированную с КМП стороны Си, блеском стороны к оптически

 
Выращивание кристаллов СиК
Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.
 
параметр решетки
Константа решетки, или параметр решетки, ссылаются на постоянн расстояние между клетками блока в кристаллической решетке. Решетки в 3 размерах вообще имеют 3 константы решетки, названной а, б, и К. Однако, в специальном случае кубических кристаллических структур, все константы равны и мы только ссылаемся на А. Подобно, в шестиугольных кристаллических структурах, константы андб равны, и мы только ссылаемся на константы а и к. Группа в составе константы решетки смогла быть названа параметры решетки. Однако, полный набор параметров решетки состоит из 3 констант решетки и 3 углов между ими.
Например решетка постоянн для общего диаманта углерода а = 3.57Å на К. 300. Структура равностороння хотя своя фактическая форма не может быть решительна от только константы решетки. Фуртерморе, в реальных применениях, типично средняя константа решетки дается. По мере того как константы решетки имеют размер длины, их блок СИ метр. Константы решетки типично заказанн нескольких ангстромов (т.е. десятых частей нанометры). Константы решетки могут быть решительны используя методы как дифракция рентгеновских лучей или с атомным микроскопом силы.
В эпитаксиальном росте, константа решетки измерение структурной совместимости между различными материалами. Соответствовать константы решетки имеет значение для роста тонких слоев материалов на других материалах; когда константы отличаются, напряжения введены в слой, который предотвращает эпитаксиальный рост более толстых слоев без дефектов. 

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.