субстрат 6Х или 4Х СиК, тип н или Полу-изолировать - вафля Повервай

Характер продукции

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к субстрату СиК изготовителя, который приложен в приборе эпитаксии ГаН, приборах силы, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.

Здесь показывает детальную спецификацию:

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

6Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)

4Х ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЮ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)

(Высокочистый Полу-изолируя (ХПСИ) субстрат СиК доступен)

СИК 4Х Н типа или Полу-изолируя, 5мм*5мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 10мм*10мм: Толщина: 330μм/430μм

СИК 4Х Н типа или Полу-изолируя, 15мм*15мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 20мм*20мм: Толщина: 330μм/430μм

4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 2 ″ (50.8мм)

4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 3 ″ (76.2мм)

4Х ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЮ ВАФЛИ 3 ″ (76.2мм)

(Субстрат СиК особой чистоты Полу-изолируя (ХПСИ) доступен)

4Х Н-ТИПЭ СиК, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 4 ″ (100мм)

СИК 4Х Н типа или полу-изолируя, 5мм*5мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 10мм*10мм: Толщина: 330μм/430μм

СИК 4Х Н типа или полу-изолируя, 15мм*15мм, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 20мм*20мм: Толщина: 330μм/430μм

вафля СиК -самолета, размер: 40мм*10мм, 30мм*10мм, 20мм*10мм, 10мм*10мм, спецификации ниже:

Тип толщина 6Х/4Х н: 330μм/430μм или таможня

Полу-изолируя толщина 6Х/4Х: 330μм/430μм или таможня

4Х СиК, ПОЛУ-ИЗОЛИРУЯ, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 4 ″ (100мм)

(Высокочистый Полу-изолируя (ХПСИ) субстрат СиК доступен)

4Х СиК, Н-ТИПЭ, СПЕЦИФИКАЦИЯ ВАФЛИ 6 ″ (150мм)

Пожалуйста см. внизу подводн-каталог:

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.