2 дюйма Ундопед ГаН на субстратах сапфира для СИД и полупроводникового техника освещения

2 дюйма Ундопед ГаН на субстратах сапфира для СИД и полупроводникового техника освещения
Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН состоят из кристаллических слоев нитрида алюминия нитрида галлия (ГаН), (АлН), алюминиевого нитрида галлия (АлГаН) и нитрида галлия индия (ИнГаН), который депозирован на субстратах сапфира. Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН включают 20-50% более коротких времен цикла эпитаксии и более высококачественных эпитаксиальных слои прибора, с лучшим структурным качеством и более высокой термальной проводимостью, которое могут улучшить приборы в цене, выходе, и представлении.
 
ПАМ-СИАМЭН'сГаН на шаблонах сапфира доступен в диаметрах от 2" до 6", и состоит из тонкого слоя кристаллического ГаН, который выросли на субстрате сапфира. Эпи-готовые шаблоны теперь доступные.
 
Здесь показывает детальную спецификацию:
2инч Ундопед субстраты ГаН/сапфира

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2инч Ундопед субстраты ГаН/сапфира
Отчет о ФВХМ и СРД
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
 
Проект испытания: Проект ФВХМ и СРД
Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.
 
Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:

ФВХМ и СРД шаблона АлН

ФВХМ и СРД шаблона АлН
 
Здесь мы показываем эксперимент в качестве примера:
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
 
Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:
Все образцы фильма ГаН были депозированы на различных субстратах ПЛД на ◦К 1000 в атмосфере плазмы азота окружающей. Камера была нагнетена вниз к торр. 10−6 прежде чем процесс низложения начал, и газ Н2 (с очищенностью 99,999%) был введен. Давление деятельности как только плазма Н2 была впрыснута было торр. 1,13 × 10−4. Лазер екссимер КрФ (λ = 248 нм, Ламбда Фысик, Форт Лаудердале, ФЛ, США) был использован как источник удаления и управля с тарифом повторения 1 Хз и энергии в импульсе 60 мДж. Средние темпы роста фильма ГаН составляли около 1 µм/х. Лазерный луч был случаем по вращая цели под углом 45◦. Цель ГаН была изготовлена ХВПЭ и набором на фиксированном расстоянии 9 см от субстрата перед быть вращанным на 30 рпм во время низложения фильма. В этом случае, ~4 µм-толстых фильма ГаН вырослись на шаблоне ГаН/сапфира (попробуйте а), сапфире (образце б), Си (111) (образец к), и Си (100) (образец д). Для ГаН на образце а, слой 2-µм ГаН во первых был депозирован на субстрате сапфира МОКВД. Электронная микроскопия сканирования (СЭМ, С-3000Х, Хитачи, Токио, Япония), микрокопы электрона передачи (ТЭМ, Х-600, Хитачи, Токио, Япония), атомная микроскопия силы (АФМ, ДИ-3100, Веко, Нью-Йорк, НИ, США), дифракция рентгеновских лучей двух-Кристл (СРД, С'Перт ПРО МРД, ПАНалытикал, Альмело, Нидерланды), низкотемпературное фотолуминессенсе (ПЛ, Флоуромакс-3, Хориба, Токио, Япония), и спектроскопия Раман (Джобин Ивон, Хориба, Токио, Япония) были использованы для того чтобы исследовать микроструктуру и оптически свойства шаблонов ГаН депозированных на различных субстратах. Электрические свойства фильмов ГаН были определены измерением Ван дер Паув-Халл под жидким азотом охлаждая на 77 к
 
 
На диаграмму 2 показано сравнение типичных картин СРД 0002) фильмов ГаН, который (выросли на различных субстратах. Ее можно увидеть что изменение в значении ФВХМ (0002) дифракционных максимумов, и интенсивности дифракционного максимума ГаН на различных субстратах были получены в пределах 34,5 градусов. Интенсивность ГаН (0002) в образце а самые сильные среди всех образцов, которые показывают что фильмы ГаН на шаблоне ГаН/сапфира сильно к ориентированы на и имеют лучшее кристаллическое качество. ФВХМ ГаН (0002) оценивает для образцов а, б, к, и д было измерено на 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, и 1.09◦, соответственно. Однако, интенсивность СРД пиковая увеличивает по мере того как ФВХМ уменьшает; это приписано к росту размера кристаллита должного к или комплексированию небольших зерен или движению границы между зернами во время процесса роста. В виду того что ФВХМ дифракционного максимума СРД по отношению к среднему размеру зерна кристаллита в фильме [26], размер зерна ГаН, который выросли на различных субстратах высчитан используя уравнение Дебе-Шерер [27]: Д = 0.9λ/ФВХМкосθ (1) где д размер кристаллита, λ длина волны рентгеновского снимка, и θ угол дифракции. Оценены, что будут размеры кристаллита образцов а, б, к, и д 57, 20, 13, и 9 нм, соответственно. Эти результаты показывают что кристаллическое качество фильмов ГаН, который выросли на образцах а и б лучшее чем это из фильмов, который выросли на образцах к и Д. Аппл. Сси. 2017, 7, 87 3 9 ГаН/шаблонов сапфира сильно ориентированное ‐ к и имеют лучшее кристаллическое качество. ФВХМ ГаН (0002) оценивает для образцов а, б, к, и д было измерено на 0.19°, 0.51°, 0.79°, и 1.09°, соответственно. Однако, интенсивность СРД пиковая увеличивает по мере того как ФВХМ уменьшает; это приписано к росту размера кристаллита должного к или комплексированию небольших зерен или движению границы между зернами во время процесса роста. В виду того что ФВХМ дифракционного максимума СРД по отношению к среднему размеру зерна кристаллита в фильме [26], размер зерна ГаН, который выросли на различных субстратах высчитан используя уравнение Шерер ‐ Дебе [27]: Д = 0.9λ/ФВХМкос θ (1) где д размер кристаллита, λ длина волны луча ‐ кс, и θ угол дифракции. Оценены, что будут размеры кристаллита образцов а, б, к, и д 57, 20, 13, и 9 нм, соответственно. Эти результаты показывают что к

 
Диаграмма 2. результаты измерений (XRD) дифракции рентгеновских лучей выросли фильмов ГаН, который на различных субстратах
 
Заключение: льмс fi ГаН, который толстые выросла на шаблоне ГаН/сапфира, сапфире, Си (111), и Си (100) высокая температура ПЛД. Были изучены влияние субстрата на качестве роста ГаН кристаллическом, поверхностное словотолкование, поведение стресса, и свойство интерфейса, если вам нужна больше информации о продукте, то пожалуйста запрашивают нас.
 

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.