китай категории
Русский язык

Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг Хвпе-ГаН для приборов ИИИ-нитрида

Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1-10,000пкс
Термины компенсации:T/T
Способность поставкы:10 000 вафель/месяц
Срок поставки:5-50 рабочих дней
Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
контакт

Add to Cart

Активный участник
Xiamen Fujian China
Адрес: #506B, деловый центр Henghui, No.77, дорога Lingxia Nan, высокотехнологичная зона, Huli, Xiamen 361006, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 11 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг Хвпе-ГаН для приборов ИИИ-нитрида

 

ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.

 

ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг ГаН

ДетальА-У ПАМ-ФС-ГаН
Размер5 кс 10 мм2
Толщина350 ±25 µм µм 430±25
Ориентация

Самолет (11-20) с угла к М-оси 0 ±0.5°

Самолет (11-20) с угла к К-оси -1 ±0.2°

Тип кондукцииН типа
Резистивность (300К)< 0="">
ТТВµм ≤ 10
СМЫЧОК-10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм
Шероховатость поверхности:

Лицевая сторона: Ра<0>

Задняя сторона: Точная земля или отполированный.

Плотность дислокацииОт 1 кс 10 5 до 5 кс 106 см-2
Плотность дефекта макроса0 см-2
Годная к употреблению область> 90% (исключение края)
Пакеткаждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг ГаН

Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.

 

ГаН очень трудные (12±2 ГПа, механически стабилизированный широкий материал полупроводника бандгап с высокой теплоемкостью и термальной проводимостью. В своей чистой форме оно сопротивляется треснуть и можется быть депозирован в тонком фильме на сапфире или кремниевом карбиде, несмотря на рассогласование в их константах решетки. ГаН можно дать допинг с кремнием (Si) или с кислородом к н типа и с магнием (Mg) к п типа. Однако, изменение атомов Си и Мг путь кристаллы ГаН растут, вводил растяжимые стрессы и делающ их хрупким. Смеси Галлюмнитриде также клонят иметь высокую плотность дислокации, заказанн 108 до 1010 дефектов в квадратный сантиметр. Широкое поведение диапазон-зазора ГаН соединено с специфическими изменениями в структуре полосы электронной перестройки, занятии обязанности и регионах химического соединения.

 

Константа решетки субстрата ГаН

 

Параметры решетки нитрида галлия были измерены используя высокое огибание луча ‐ разрешения кс ‐

 

 

ГаН, сруктуре вуртцита. Константы а решетки против температуры.

 

 

ГаН, сруктуре вуртцита. Константы к решетки против температуры

 

 

Свойства субстрата ГаН

 

СВОЙСТВО/МАТЕРИАЛКубическое (бета) ГаНШестиугольное (альфа) ГаН
...
СтруктураСфалерит цинкаУрзите
Группа космосаФ бар4 3мК4 (= П63мк)
СтабильностьПолуустойчивыйСтабилизированный
Параметры решетки на 300К0,450 нма0 = 0,3189 нм
к0 = 0,5185 нм 
Плотность на 300К6,10 g.cm -36,095 g.cm -3
Модули пластичности на 300 к. .. .
Линейные Коефф теплового расширения.. .Вдоль а0: 5.59кс10-6 К-1
Вдоль к0: 7.75кс10-6 К-1
на 300 к
Высчитанные самопроизвольно поляризацииНе применимый– 0,029 к м-2
Бернардини и др. 1997
Бернардини & Фиорентини 1999
Высчитанные пьезоэлектрические коэффициентыНе применимыйе33 = + 0,73 к м-2
е31 = – 0,49 к м-2
Бернардини и др. 1997
Бернардини & Фиорентини 1999
Энергии фонона: меВ 68,9 
ЛО: меВ 91,8
А1 (К): меВ 66,1
Э1 (К): меВ 69,6
Э2: меВ 70,7
А1 (ЛО): меВ 91,2
Э1 (ЛО): меВ 92,1
Температура Дебе (оцененное) 600К
Вял, 1973
Термальная проводимость
близко 300К
. .Блоки: Вкм-1К-1

1,3,
Танслей и др. 1997б

2.2±0.2
для толщиной, свободно стоящее ГаН
Ваудо и др., 2000

2,1 (0,5)
для материала ЛЕО
где немногие вывихивания (много)
Флореску и др., 2000, 2001

около 1,7 к 1,0
для н=1кс1017 к 4кс1018км-3
в материале ХВПЭ
Флореску, Мольнар и др., 2000

2,3 ± 0,1
в Фе-данном допинг материале ХВПЭ
ом-см кс108 КА. 2,
& см-2 КА. 105 плотности дислокации
(влияния также, который дали т & плотности дислокации).
Мион и др., 2006а, 2006б
Точка плавления. .. .
Диэлектрическая константа
на низкой/низкой частоте
. .Вдоль а0: 10,4
Вдоль к0: 9,5
Р.И.2,9 на 3еВ
Танслей и др. 1997б
2,67 на 3.38еВ
Танслей и др. 1997б
Природа перепада энергии напримерСразуСразу
Перепад энергии например на 1237К еВ 2,73
Чинг-Хуа Су и др., 2002
Перепад энергии например на 293-1237 к 3.556 - 9.9кс10-4Т2/еВ (Т+600)
Чинг-Хуа Су и др., 2002
Перепад энергии например на 300 кеВ 3,23
Рамирез-Флорес и др. 1994
.
еВ 3,25
Логотетидис и др. 1994
еВ 3,44
Монемар 1974
.
еВ 3,45
Коиде и др. 1987
.
еВ 3,457
Чинг-Хуа Су и др., 2002
Перепад энергии например на КА. 0 кеВ 3,30
Рамирез-Флорес ет ал1994
Плоог и др. 1995
еВ 3,50
Динле и др. 1971
Монемар 1974
Конк внутреннеприсущей несущей на 300 к. .. .
Энергия ионизацией… дарителя. ….. ….
Масса электрона эффективная я */м0. .0,22
Мооре и др., 2002
Подвижность электрона на 300 к
для н = 1кс1017 км-3:
для н = 1кс1018 км-3:
для н = 1кс1019 км-3:
. .КА. 500 км2В-1с-1
КА. 240 км2В-1с-1
КА. 150 км2В-1с-1

Ехал & Гаскилл, 1995
Танслей и др. 1997а
Подвижность электрона на 77 к
для н =.
. ….. ….
Энергия ионизацией акцепторов. .Мг: меВ 160
Амано и др. 1990

Мг: меВ 171
Золпер и др. 1995

Ка: меВ 169
Золпер и др. 1996
Подвижность Халл отверстия на 300 к
для п=….
. .. ….
Подвижность Халл отверстия на 77 к
для п=….
. ….. .
.Кубическое (бета) ГаНШестиугольное (альфа) ГаН

 

Применение субстрата ГаН

 

Нитрид галлия (ГаН), с сразу зазором диапазона еВ 3,4, многообещающий материал в развитии приборов коротк-длины волны светоиспускающих. Другие применения оптического прибора для ГаН включают лазеры полупроводника и оптически детекторы.

 

 
China Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг Хвпе-ГаН для приборов ИИИ-нитрида supplier

Плоский субстрат У-ГаН Фрестандинг Хвпе-ГаН для приборов ИИИ-нитрида

Запрос Корзина 0