субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (11-22) эпитаксией участка пара гидрида

субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (11-22) эпитаксией участка пара гидрида

ПАМ-СИАМЭН установило технологию изготовления для фрестандинг (нитрид галлия) вафли субстрата ГаН которая для УХБ-ЛЭД и ЛД. Расти технологией (HVPE) эпитаксии участка пара гидрида, наш субстрат ГаН имеет низкую плотность дефекта и или свободную плотность дефекта макроса.

ПАМ-СИАМЭН предлагает полный диапасон ГаН и родственных материалов ИИИ-Н включая субстраты ГаН различных ориентаций и электрической проводимости, шаблонов крысталлинеГаН&АлН, и изготовленных на заказ епиваферс ИИИ-Н.

субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (11-22)

субстрат си-ГаН Фрестандинг ГаН самолета (11-22)

Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.

Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе, ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и инфраструктура кабельного телевидения в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях.

ОТЧЕТ О Материал-ТЕСТА кривых-ГаН СРД тряся

Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.

Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.

Ниже пример кривых СРД тряся материала ГаН:

Кривые СРД тряся материала ГаН

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.