Обломок IC флэш-памяти M12L64164A-6TG2Y
Номер модели:ИС памяти ESMT
Место происхождения:Тайвань
Количество минимального заказа:100pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, MoneyGram
Упаковывая детали:первоначальная упаковка
Название продукта:Интегральная схемаа
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
6F, Z-хороший парк нововведения науки, дорога но. 4 Yintian, Подводн-район Xixiang, район Banao, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 2 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Память IC электроники ESMT
Технология памяти Inc.(" полупроводника элиты ESMT "), основанная на Тайван компания дизайна IC памяти, была основана Д-р Chao в июне 1998. Мы первоначально определяли как поставщик различной памяти ICs. В отличие от главной памяти, т.е., ДРАХМЫ используемой для ПК, серверов, и рабочих мест, наши продукты ДРАХМЫ фокусируют на памятях ДРАХМЫ специальности, которые использованы в участках как peripherals ПК, продукты IA, продукты потребления, оптические приборы, и коммуникационные устройства.
Мы ETSE предлагаем все виды компонентов обломоков IC электроники ESMT, обломоков микроконтроллеров РУКИ, цифрового шинного выключателя ICs, сетноых-аналогов обломоков ICs переключателя, переключателя ICs мультиплексора, встречных ICs, переключателя ICs USB, беспроводных поручая ICs и так далее.
| Модель нет. | Описание | Модель нет. | Описание |
|---|---|---|---|
| M12L16161A-5TG2Q | данные по 2Banks 512K x 16Bit x одновременные высокие RAM тарифа динамический, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V | M12L32321A-5BG2G | RAM тарифа данным по 2Banks 512K x 32Bit x одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L16161A-7TG2Q | данные по 2Banks 512K x 16Bit x одновременные высокие RAM тарифа динамический, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V | M12L32321A-6BG2G | RAM тарифа данным по 2Banks 512K x 32Bit x одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-5TG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L32321A-7BG2G | RAM тарифа данным по 2Banks 512K x 32Bit x одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-6TG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L128168A-5TG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-7TG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L128168A-6TG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-5BG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L128168A-7TG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-6BG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-5TG2S | 4M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-7BG2Y | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-6TG2S | 4M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L5121632A-5TG2S | 8M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L2561616A-7TG2S | 4M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| M12L5121632A-6TG2S | 4M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V | M12L5121632A-7TG2S | 4M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, SDRAM 3.3V |
| EN39LV010 | 1 мегабит (128K x 8-разрядное) участок 4 кбайтов равномерный, Флэш-память CMOS 3,0 только для Вольт | EN29LV040A | Участок 4 мегабитов (512K x 8-разрядного) равномерный, Флэш-память CMOS 3,0 только для Вольт |
| EN29LV400A | Флэш-память 4 мегабитов (512K x 8-разрядного/256K x
шестнадцатиразрядного) Флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3,0 только для Вольт | EN29LV800C | Флэш-память 8 мегабитов (1024K x 8-разрядного/512K x шестнадцатиразрядного), флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3V |
| EN39SL800 | Флэш-память 8 мегабитов (512K x шестнадцатиразрядного) с 4Kbytes равномерным участком, CMOS 1,8 только для Вольт | EN29LV160C | Флэш-память 16 мегабитов (2048K x 8-разрядного/1024K x16-bit), флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3.0V |
| EN39SL160AH/L | Флэш-память 16 мегабитов (1024K x шестнадцатиразрядного) с 4Kbytes равномерным участком, CMOS 1,8 только для Вольт | EN29LV320C | Флэш-память 32 мегабитов (4096K x 8-разрядного/2048K x16-bit), флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3.0V |
| EN29LV160D (2W) | Флэш-память 16 мегабитов (2048K x 8-разрядного/1024K x
шестнадцатиразрядного) Флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3,0 только для Вольт | EN29LV640A | Флэш-память 64 мегабитов (8M x 8-разрядное/4M x шестнадцатиразрядное), флэш-память загрузочного сектора, CMOS 3.0V |
| M12L16161A-5TVG2Q | RAM тарифа данным по 2Banks 512K x 16Bit x одновременный высокий динамический, 50 TSOPII, автомобильная ранг | M12L64164A (2C) | 1M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг |
| M12L16161A-7TVG2Q | RAM тарифа данным по 2Banks 512K x 16Bit x одновременный высокий динамический, 50 TSOPII, автомобильная ранг | M12L128168A-5TVG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг |
| M12L128168A-5TVAG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг | M12L128168A-6TVG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг |
| M12L128168A-6TVAG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг | M12L128168A-7TVG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг |
| M12L128168A-7TVAG2N | 2M x 16 сдержали x RAM тарифа 4 данным по банков одновременный высокий динамический, автомобильная ранг | AD62556 | Регулятор USB аудио с водителем наушников & с микрофоном/Лини-в интерфейсе |
| AD22654 | без Крышк водитель на линии 3-Vrms с регулируемым увеличением | AD22650 | без крышк стерео водитель на линии 3-Vrms для одиночной электроники поставки |
| AD22654B | без крышк стерео водитель на линии 3-Vrms для одиночной электроники поставки | AD62550 | Мощный усилитель звуковой частоты класса-D с USB/I2 Интерфейс s |
| AD62553 | Регулятор USB аудио & Лини-в интерфейсе С усилителем силы класса-D и водителем наушников | AD62557 | Регулятор USB аудио с усилителем силы класса-D & с микрофоном/Лини-в интерфейсе |
Мы ETSE также купить overstock, излишные, сверхнормальные,
прерыванные продукты и устарелый инвентарь электроники. Мы
заинтересованы во всех видах ICs, конденсаторов и всех других
компонентов электроники вы можете иметь для склада скидки.
Обломок IC флэш-памяти M12L64164A-6TG2Y
Запрос Корзина
0