Обломок IC флэш-памяти H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC
Номер модели:Микросхема памяти Hynix
Место происхождения:Южная Корея, Китай
Количество минимального заказа:100pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, MoneyGram
Название продукта:Интегральная схемаа
бренд:SK Hynix
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
6F, Z-хороший парк нововведения науки, дорога но. 4 Yintian, Подводн-район Xixiang, район Banao, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 2 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Память IC SK Hynix
Интегральная схемаа IC памяти SK Hynix откалывает компоненты электроники
Hynix Inc. SK южнокорейский поставщик полупроводника памяти динамических обломоков оперативного запоминающего устройства и обломоков флэш-памяти. Hynix чипмейкер второй по величине памяти мира и компания полупроводника 3rd-largest мира. Основанный как CO. Hyundai электронное промышленное, Ltd. в 1983 и как электроника Hyundai, компания имеет места производства в Корее, Соединенных Штатах, Китае и Тайване. В 2012, когда телекоммуникации SK пошли своим главным акционером, Hynix слило к группе SK.
Мы ETSE предлагаем все виды компонентов IC hynix SK, как цифровой IC, сетноой-аналогов IC, усилитель IC, звук IC ТВ и так далее.
| Модель нет. | Описание | Модель нет. | Описание |
|---|---|---|---|
| HY5PS1G1631CFP-Y5C | 64M x 16 ДРАХМ ГДР, PBGA84 | HY62256ALP-70 | Статический RAM, 32Kx8, 28 Pin, пластиковый, DIP28 |
| HY57V641620ETP-6 | SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, пластиковый, TSOP54 | H5TQ2G83BFR-H9C | 256M x 8 ДРАХМ ГДР, 20 ns, PBGA82 |
| HY57V161610FTP-7 | 1M x 16 ОДНОВРЕМЕННЫХ ДРАХМ, 5,4 ns, PDSO50 | H5TQ1G63EFR-PBC | ДРАХМА ГДР, 64MX16, CMOS, PBGA96 |
| H5TQ4G63CFR-TEC | Обломок ДРАХМЫ DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V 96-Pin F-BGA | H5TC2G63GFR-PBA | Обломок ДРАХМЫ DDR3L SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V 96-Pin F-BGA |
| H5TQ2G63DFR-PBC | SDRAM, DDR3, 2GB (X16), 96FBGA | H5TQ1G63DFR-11C | 64M x 16 ДРАХМ ГДР, PBGA96 |
| H5PS5162GFR-Y5J | ДРАХМА ГДР, 32MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 | H5TQ1G63DFR-H9C | 64M x 16 ДРАХМ ГДР, PBGA96 |
| H5PS5162FFR-Y5C | 32M x 16 ДРАХМ ГДР, 0,45 ns, PBGA84 | H5PS5162GFR-S6C | SDRAM, DDR2, 512MB (X16), 84FBGA |
| H5PS5162FFR-G7C | ДРАХМА ГДР, 32MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 | H5PS1G83JFR-S6C | SDRAM, DDR2, 1G (128MX8), 60FBGA |
| H5PS1G83EFR-G7CR | Обломок ДРАХМЫ DDR2 SDRAM 1.8V 60-Pin FBGA 1G-Bit 128M x 8 | H5PS1G63KFR-S6C | Обломок ДРАХМЫ DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
| H5PS1G63JFR-S5C | SDRAM, память ICs ДРАХМЫ DDR2, 1GB (X16), 84FBGA - одновременное, конфигурация памяти ДРАХМЫ: 64M x 16bit, время выборки: -, Размер страницы: 16Kbit, но. штырей: 84Pins | H5PS1G63EFR-S5C-C | Обломок ДРАХМЫ DDR2 SDRAM 1.8V 84-Pin FBGA 1G-Bit 64M x 16 |
| H5AN4G6NAFR-UHC | Обломок ДРАХМЫ DDR4 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.2V 96-Pin F-BGA | H5PS1G63EFR-Y5C | ДРАХМА ГДР, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 |
| H5PS1G63JFR-Y5J | ДРАХМА ГДР, 64MX16, 0.45NS, CMOS, PBGA84 | H5PS1G63EFR-S6C | SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA |
| H5PS1G63JFR-G7C | ДРАХМА ГДР, 64MX16, 0.35NS, CMOS, PBGA84 | H55S5122EFR-60M | SDRAM, чернь, 512MB, 166MHZ, 90FBGA |
| H27U1G8F2BFR-BC | NAND внезапное серийное 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25000ns 63-Pin FBGA | H9TP18A8LDMCNR-KDM | Электронные блоки ICs |
Мы ETSE также купить overstock, излишные, сверхнормальные,
прерыванные продукты и устарелый инвентарь электроники. Мы
заинтересованы во всех видах ICs, конденсаторов и всех других
компонентов электроники вы можете иметь для склада скидки.
Обломок IC флэш-памяти H5PS5162FFR-G7C H5PS1G63JFR-Y5J H5TQ4G63CFR-TEC
Запрос Корзина
0