китай категории
Русский язык

3 водитель Mosfet Bldc мостиковой схемы участка 30A h

Номер модели:JY12M
Количество минимального заказа:1 набор
Упаковывая детали:КОРОБКА ПЭ БАГ+
Место происхождения:КИТАЙ
Срок поставки:5-10 дней
Условия оплаты:Т/Т, Л/К, ПайПал
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Changzhou Jiangsu China
Адрес: No8 Tianshan Road, район Синбэй, Чанчжоу, Цзянсу, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 31 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

JY12M n и MOSFET канала 30V p для водителя мотора BLDC

 

 

 

ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ


JY12M транзисторы поля силы режима повышения логики канала n и p
произведите используя высокую технологию канавы плотности клеток DMOS. Эта высокая плотность
процесс особенно портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства. Эти приборы
особенно одетый для применения низшего напряжения как мобильный телефон и тетрадь
управление силы компьютера и другие цепи батареи использующие энергию где на стороне высокого давления
переключение, и низкие встроенные потери электропитания необходимы в очень небольшой поверхности плана
пакет держателя.


ОСОБЕННОСТИ

ПриборRDS (ДАЛЬШЕ) МАКСIDMAX (25ºC)
N-канал20mΩ@VGS=10V8.5A
32mΩ@VGS=4.5V7.0A
P-канал45mΩ@VGS=-10V-5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V-4.1A


●Низкая входная емкость
●Быстрая переключая скорость


ПРИМЕНЕНИЯ
Управление силы
●Конвертер DC/DC
●Управление мотора DC
●ЖК-ТЕЛЕВИЗОР & инвертор дисплея монитора
●Инвертор CCFL

 

Абсолютный максимум оценок (Ta=25ºC если не указано иное)

ПараметрСимволКанал nКанал pБлок
sec 10Устойчивыйsec 10Устойчивый
Стеките напряжение тока источникаVDSS30-30V
Напряжение тока источника воротVDSS±20±20
Непрерывный
Стеките настоящее
ºC Ta=25ID8,56,5-7,0-5,3
ºC Ta=706,85,1-5,5-4,1
Пульсированное течение стокаIDM30-30
Максимальная сила
Диссипация
ºC Ta=25PD1,5W
ºC Ta=700,95
Работая соединение
Температура
TJ-55 до 150ºC
Термальное сопротивление
Соединение к окружающему
RθJA6110062103ºC/W
Термальное сопротивление
Соединение, который нужно покрывать
RθJC1515ºC/W


Электрические характеристики (Ta=25ºC если не указано иное)

СимволПараметрУсловияМинутаТипМаксБлок
Статический
VGS (th)Порог ворот
Напряжение тока
VDS =VGS, ID =250UAN-Ch1,01,53,0V
VDS =VGS, ID =-250UAP-Ch-1,0-1,5-3,0
IGSSУтечка ворот
Настоящий
VDS =0V, VGS =±20VN-Ch±100nA
P-Ch±100
IDSSНул напряжений тока ворот
Стеките настоящее
VDS =30V, VGS =0VN-Ch1uA
VDS =-30V, VGS =0VP-Ch-1
ID (ДАЛЬШЕ)Сток На-государства
Настоящий
VDS ≥5V, VGS =10VN-Ch20
VDS ≤-5V, VGS =-10VP-Ch-20
RDS (ДАЛЬШЕ)Сток-источник
На-государство
Сопротивление
VGS =10V, ID =7.4AN-Ch1520
VGS =-10V, ID =-5.2AP-Ch3845
VGS =4.5V, ID =6.0AN-Ch2332
VGS =-4.5V, ID =-4.0AP-Ch6585
VSDДиод передний
Напряжение тока
=1.7A, VGS =0VN-Ch0,81,2V
=-1.7A, VGS =0VP-Ch-0,8-1,2


 

РУКОВОДСТВО ПОТРЕБИТЕЛЯ ЗАГРУЗКИ JY12M

JY12M.pdf

China 3 водитель Mosfet Bldc мостиковой схемы участка 30A h supplier

3 водитель Mosfet Bldc мостиковой схемы участка 30A h

Запрос Корзина 0