БЛОК КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА, МЕЛЯ ПРОЦЕСС КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА, ВАФЛИ САПФИРА СИД, ВАФЛИ СИД
Номер модели:MS
Место происхождения:КИТАЙ
Количество минимального заказа:10000 частей
Условия оплаты:L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки:10000 частей в месяц
Срок поставки:5-8 рабочих дней
контакт
Add to Cart
Активный участник
Zhengzhou Henan China
Адрес:
Но. 26, улица Dongqing, высокотехнологичная зона, Zhengzhou, Хэнань, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Блок кремниевого карбида (SiC)
Сопротивление ссадины сопротивления термального удара термальной проводимости блока кремниевого карбида хорошее хорошее хорошее
Должный к нашим большому размеру мощности и сильной отливая в форму способности для продукции изготовления на заказ, наша компания экспортировала наши продукты к много международных рынков. Наши продукты аттестованы согласно требованиям клиентов.
Мы продолжаемся innovate, улучшить, и увеличить так же, как интегрировать ресурсы внутренне и внешне усилить гибкость нашей компании и конкурентоспособность наших продуктов, и обеспечивают и старых и новых клиентов с самым лучшим обслуживанием.
Применение:
Меля процесс кремниевой пластины полупроводника
Меля процесс вафли сапфира СИД
Утончая процесс вафли СИД
Требования к особенности:
Хорошая термальная проводимость
Хорошее сопротивление термального удара
Хорошее сопротивление ссадины
| Представление | БЛОК | HS-A | HS-P | HS-XA |
| Размер зерна | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| Плотность | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3,1 |
| Твердость (Knoop) | ² Kg/mm | 2800 | 2800 | 2800 |
| Flexural прочность 4 pt @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ² ³ 1b/in | 55 | 55 | 55 | |
| Удельная работа разрыва @ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
| *10 ² ³ 1b/in | 560 | 560 | ||
| Модуль упругости @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ² ³ 1b/in | 59 | 58 | 59 | |
| Модуль Weibull (параметр 2) | 8 | 19 | 12 | |
| Коэффициент Poisson | 0,14 | 0,14 | 0,14 | |
| Кручение двойника RT твердости трещиноватости @ & SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| *1 ² ³ 1b/in в ½ | ||||
| Коэффициент теплового расширения RT к 700℃ | X10-6mm/mmK | 4,02 | 4,2 | 4,02 |
| X10-6 in/in°F | 2,2 | 2,3 | 2,2 | |
| Максимальная жара середины специфическая @ RT обслуживания Temp.Air | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
| J/gmK | 0,67 | 0,59 | 0,67 | |
| Термальная проводимость @ RT | W/mK | 125,6 | 110 | 125,6 |
| H°F Btu/ft | 72,6 | 64 | 72,6 | |
| @200°C | W/mK | 102,6 | 102,6 | |
| H°F Btu/ft | 59,3 | 59,3 | ||
| @400°C | W/mK | 77,5 | 77,5 | |
| H°F Btu/ft | 44,8 | 44,8 | ||
| Проницаемость @ RT к 1000°C | 31MPa под никакой утечкой газа | |||
| Электрическая резистивность @ RT | Ом-см | 102-106 | N/A | 102-106 |
| Лучеиспускаемость | 0,9 | 0,9 | 0,9 | |
Почему улучшайте чем другие:
Доступный в различных спецификациях, также обеспечьте подгонянные обслуживания
Стабилизированное качество и быстрая доставка
Диаметр блока SiC от 120mm до 480mm в запасе
Сохраните время загрузки образца и процесс разгружать
Приемлемый более высокий утончая тариф
БЛОК КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА, МЕЛЯ ПРОЦЕСС КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА, ВАФЛИ САПФИРА СИД, ВАФЛИ СИД
Запрос Корзина
0