Модуль 16GB 3200MHz CL16 1.35V памяти Faspeed P4H RAM DDR4 настольный

faspeed модуль памяти RAM 16GB 3200MHz P4H DDR4 (PC4 25600) CL16 1.35V настольный с Heatsink

Описание настольного модуля памяти

• faspeed модуль памяти RAM 16GB 3200MHz P4H DDR4 (PC4 25600) CL16 1.35V настольный с Heatsink
• Поддерживает процессоры озера кофе Intel и стандарты профиля памяти Intel весьма (Intel XMP).
• Алюминиевый теплоотвод и низшее напряжение 1.35V включают быстрое тепловыделение и более низкий расход энергии оборудования.
• Скорости до 3200 MT/s/время 16-18-18-38/напряжение тока 1.35V/Unbuffered/8GB основали
• Подпертый пожизненной гарантией для того чтобы пообещать полным обслуживаниям и службе технической поддержки.

Спецификация модуля компьютерной памяти

Особенность модуля памяти simm

Быстрое чтение и написать скорость: Флэш-память использована как носитель записи, и прочитанная скорость более быстра чем это из механических жестких дисков. Полупроводниковые приводы не используют головки для магнитной записи, и время поиска почти 0. Терпеть напишите скорости изумителен

Сотрясите сопротивление и сопротивление падения: Традиционные жесткие диски типа диск, и данные хранятся в участках диска. Полупроводниковый привод сделан частиц флэш-памяти (ie MP3, диска u и других носителей записи), настолько там отсутствие механических частей внутри привода SSD полупроводникового, настолько даже в случае высокоскоростного движения или даже со слегка ударять и опрокидывать, он не повлияет на нормальное функционирование. используйте, и смогите уменьшить возможность потери данных в случае столкновений и ударов. Сравненный с традиционными жесткими дисками, полупроводниковые приводы имеют абсолютное преимущество.