

Add to Cart
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | ||
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | ||
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4,5 В, 10 В | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 мОм при 9 А, 10 В | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3 В при 250 мкА | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 нКл при 10 В | |
VGS (макс.) | ±20В | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 720 пФ при 15 В | |
Полевой транзистор | - | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2,4 Вт (Та) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) | |
Тип крепления | ||
Пакет устройств поставщика | 6-микрополевой транзистор (2x2) | |
Пакет/кейс |
Список продуктов:
ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Силовая электроника
Ключевая особенность:
- Низкий RDS(on) 0,05 Ом
- Низкий заряд ворот
- Улучшенная Qg и безопасная рабочая зона
- Способность к высокому пиковому току
- Низкий заряд ворот
- Быстрое переключение
- Соответствует RoHS
- соответствует стандарту AEC-Q101
Приложения:
- DC/DC преобразователи
- Преобразователи постоянного/переменного тока
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Блоки питания для серверов/ноутбуков
- Автомобильные приложения
Технические характеристики:
- Напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Напряжение затвор-исток (VGS): ± 20 В
- Ток стока (ID): 58A
- RDS(вкл.): 0,05 Ом
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 115 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до 150°C