

Add to Cart
N-канальный PowerTrench
Тип полевого транзистора | ||
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | ||
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | ||
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10В | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 мОм при 22 А, 10 В | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4,5 В при 4,4 мА | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 78 нКл при 10 В | |
VGS (макс.) | ±30В | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3090 пФ при 400 В | |
Полевой транзистор | - | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 312 Вт (Тс) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) | |
Тип крепления | ||
Пакет устройств поставщика | Д²ПАК (ТО-263) | |
Пакет/кейс |
Описание
SUPERFET III MOSFET — это новое семейство высоковольтных полевых
МОП-транзисторов с суперпереходом (SJ) от ON Semiconductor, в
котором используется технология балансировки заряда, обеспечивающая
выдающееся низкое сопротивление в открытом состоянии и меньшую
производительность при заряде затвора.Эта передовая технология
предназначена для минимизации потерь проводимости, обеспечения
превосходных характеристик переключения и
выдерживать экстремальные скорости dv/dt.Следовательно, SUPERFET
III MOSFET очень хорошо подходит для различных преобразований
мощности переменного тока в постоянный для миниатюризации системы и
повышения эффективности.
Функции
• 700 В при TJ = 150°C
• RDS(вкл.) = 62 м (тип.)
• Сверхнизкий заряд затвора (тип. Qg = 78 нКл)
• Низкая эффективная выходная емкость (тип. Coss(eff.) = 715 пФ)
• 100% лавинное тестирование
• Эти устройства не содержат свинца и соответствуют требованиям
RoHS.
Приложения
• Блоки питания для телекоммуникаций/серверов
• Промышленные источники питания
• ИБП/солнечная энергия