

Add to Cart
FDP18N50 MOSFET Силовая электроника N-Channel UniFETTMПакет ТО-220импульсные преобразователи мощности
N-канальный PowerTrench
Напряжение сток-исток (Vdss) | ||
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | ||
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10В | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 мОм при 9 А, 10 В | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5 В при 250 мкА | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 нКл при 10 В | |
VGS (макс.) | ±30В | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2860 пФ при 25 В | |
Полевой транзистор | - | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 235 Вт (Тс) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) | |
Тип крепления | ||
Пакет устройств поставщика | ТО-220-3 | |
Пакет/кейс |
Функции
• RDS(on) = 220 мОм (тип.) при V GS = 10 В, ID = 9 A
• Низкий заряд затвора (тип. 45 нКл)
• Low C rss (тип. 25 пФ)
• 100% лавинное тестирование
Приложения
• ЖК/светодиодный/плазменный телевизор
• Осветительные приборы
• Бесперебойный источник питания
Описание
UniFET TM MOSFET — это семейство высоковольтных MOSFET от Fairchild
Semiconductor, основанное на планарной полосовой технологии и
технологии DMOS.
Этот полевой МОП-транзистор предназначен для снижения сопротивления
в открытом состоянии, а также для обеспечения лучших характеристик
переключения и более высокой силы лавинной энергии.Это семейство
устройств подходит для импульсных преобразователей мощности, таких
как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD),
питание телевизоров, ATX и электронные балласты ламп.