

Add to Cart
НTHД3101FT1г8-СМДМОперационные системыФETВластьЭлектроникаТрансистордляВысокий-ФрегулярностьВыключательингПриложения
Напряжение сток-исток (Vdss) | ||
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | ||
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1,8 В, 4,5 В | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 мОм при 3,2 А, 4,5 В | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1,5 В при 250 мкА | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7,4 нКл при 4,5 В | |
VGS (макс.) | ±8В | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 680 пФ при 10 В | |
Полевой транзистор | Диод Шоттки (изолированный) | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,1 Вт (Та) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) | |
Тип крепления | ||
Пакет устройств поставщика | ЧипФЕТ™ | |
Пакет/кейс |
Список продуктов:
Название продукта: силовая электроника NTHD3101FT1G MOSFET
Производитель: Онсеми
Пакет: 8-SMD
Параметры:
• ВДСС: -30В
• RDS (вкл.): 0,006 Ом
•ID: -30А
• Qg: 9 нКл
• Входная емкость (СНЧ): 327 пФ
• Выходная емкость (Coss): 35 пФ
• Частота перехода (футы): 8 ГГц
• Импульсный ток стока (IDM): -60A
• Пороговое напряжение (VGS(th)): -2,3 В