SIHW30N60E-GE3 MOSFET канала высокой эффективности 30A 600V n для производительности электроники

Максимум SIHW30N60E-GE3

MOSFET канала представления 30A 600V n для производительности электроники

Характеристики продукта:

Высотой с переключение скорости
- Низкая обязанность ворот
- Низкое На-сопротивление
- MOSFET силы TrenchFET
- Превосходный продукт обязанности x RDS ворот (дальше)

Технические данные:

- Напряжение тока Сток-источника: 600V
- Непрерывный стеките течение: 30A
- Пульсированный стеките настоящее: 175A
- Сопротивление На-государства: 0,0665 Ω
- Максимальное напряжение тока порога ворот: 4V
- Максимальное напряжение тока Ворот-источника: 20V
- Максимальное сопротивление На-государства источника стока: 0,0665 Ω
- Тип пакета: TO-220-3
- Температурная амплитуда рабочей температуры: -55°C к 175°C

Почему покупка от нас быстро >>>/безопасно/удобно

• SKL хранитель запаса и торговая компания электронных блоков. Наш филиал включает Китай, Гонконг, Sigapore, Канаду. Дело, обслуживание, выделение ресурсов и данные по предложения для нашего глобального члена.
• Товарам обеспечивают самое высококачественное возможное и поставлены к нашим клиентам во всем мире со скоростью и точностью.

Как купить >>>

• Свяжитесь мы электронной почтой & отправил ваше запросите с вашим назначением перехода.
• Онлайн болтовня, комиссар была бы отвечена КАК МОЖНО СКОРЕЕ.

>>> обслуживания

• Пересылке товароотправителя к покупателю всемирного, DHL, TNT, UPS, FEDERAL EXPRESS etc. не нужно потревожиться о грузя проблеме
• Мы попробуем ответить как можно быстрее. Но должный к разнице в часового пояса, пожалуйста позвольте до 24 часам для того чтобы получить вашу почту отвеченный. Продукты были испытаны некоторыми приборами или программное обеспечение, мы обеспечиваем что никакие качественные проблемы.
• Мы совершены к обслуживанию обеспечивать быстрому, удобному и безопасному транспорта к глобальному покупателю.