TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. (англ. Киоксиа Америка, Инк.)

[Тошиба]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Описание

TH58NVG1S3A представляет собой одно 3,3-В 2G-бит (2,214,592,512 бит) NAND Электрически стираемая и программируемая память для чтения (NAND E2PROM), организованная как (2048+64) байты x 64 страницы x 2048 блоков.Устройство имеет 2112-байтовые статические регистры, которые позволяют передавать данные программы и чтения между регистром и массивом ячеек памяти в 2112-байтовых шагахОперация Erase реализуется в одной блочной единице (128 Кбайт + 4 Кбайт: 2112 байтов х 64 страницы).
TH58NVG1S3A - это устройство памяти серийного типа, которое использует I/O-прицепы как для ввода / вывода адресов и данных, так и для ввода команд.Операции стирания и программы выполняются автоматически, что делает устройство наиболее подходящим для приложений, таких как хранилище файлов твердого состояния, запись голоса, память файлов изображений для стационарных камер и других систем, которые требуют высокой плотности хранилища данных в нелетающей памяти.

СТРАНИЦЫ

• Организация
Устройства памяти 2112 u 64K u 8 u 2
Регистр 2112 u 8
Размер страницы 2112 байтов
Размер блока (128K 4K) байты
• Моды
Программа чтения, перезагрузки, автоматической страницы
Автоматическое стирание блокировки, чтение статуса
• Управление режимом
Серийный вход/выход
Контроль управления
• Силовое питание VCC 2,7 V до 3,6 V
• Циклы программы/удаления 1E5 Циклы ((с ECC)
• Время доступа
Массив ячеек для регистрации максимум 25 мкс
Серийный цикл чтения 50 нс мин
• Рабочий ток
Читать (50 нс цикл) 10 мА типовой.
Программа (в среднем) 10 мА тип.
Удаление (в среднем) 10 мА тип.
В режиме ожидания 50 μA максимум
• Пакет
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Вес: 0,53 г обычно.)