китай категории
Русский язык

MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512 МБИТ PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Номер модели:МТ416М16М32ЛФКМ-6 ТР
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес: Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 26 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Подробная информация о продукции

Мобильная маломощная DDR SDRAM


Особенности

• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95 Вт
• Двунаправленный данный строб на байт данных (DQS)
• Внутренняя архитектура двойной скорости передачи данных (DDR); два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• 4 внутренних банка для одновременной работы
• Маски данных (DM) для маскировки записываемых данных; одна маска на байт
• Программируемые длины взрывов (BL): 2, 4, 8 или 16
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и режим самообновления
• Входы, совместимые с LVCMOS 1,8 В
• Самообновление с компенсацией температуры (TCSR)
• Частичное самообновление массива (PASR)
• Глубокое отключение питания (DPD)
• Регистр чтения состояния (SRR)
• Выбираемая мощность привода (DS)
• Возможность остановки часов
• 64 мс обновления, 32 мс для автомобильной температуры

Спецификации

АтрибутЗначение атрибута
ПроизводительМикрон Технологии Инк.
Категория продукцииМемориальные микросхемы
Серия-
Опаковка
Пакетный чехол90-VFBGA
Операционная температура0°C ~ 70°C (TA)
ИнтерфейсПараллельно
Напряжение10,7 В ~ 1,95 В
Пакет изделий поставщика90-VFBGA (10x13)
Способность памяти512M (16M x 32)
Тип памятиМобильная LPDDR SDRAM
Скорость166 МГц
Формат-памятьОЗУ

Описания

SDRAM - Мобильная LPDDR память IC 512Mb (16M x 32) Параллельно 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
China MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512 МБИТ PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. supplier

MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512 МБИТ PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Запрос Корзина 0