китай категории
Русский язык

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1 Мбит SPI 40 МГц 16SOIC Infineon Technologies

Номер модели:CY14B101PA-SFXI
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес: Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 26 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Подробная информация о продукции


Обзор

Cypress CY14X101PA сочетает в себе 1 Мбит nvSRAM[1] с полнофункциональной RTC в монолитической интегрированной схеме с последовательным интерфейсом SPI.Встроенные нелеткие элементы используют технологию QuantumTrapSRAM обеспечивает бесконечные циклы чтения и записи, в то время как клетки QuantumTrap обеспечивают высоконадежное нелетающее хранение данных.Передача данных из SRAM в неплавные элементы (операция STORE) происходит автоматически при отключении питания. При включении данные восстанавливаются в SRAM из нелетающей памяти (операция RECALL).

Особенности

■ 1-Мбитная нестабильная статическая память случайного доступа (nvSRAM)
Внутреннее устройство 128 K × 8
Неволатильные элементы, автоматически запускаемые при отключении питания (AutoStore) или с помощью инструкции SPI (Software STORE) или HSB pin (Hardware STORE)
¢ RECALL в SRAM, инициированный при включении (Power Up RECALL) или с помощью инструкции SPI (Software RECALL)
Автоматический СТОР при отключении с небольшим конденсатором
■ Высокая надежность
Бесконечные циклы чтения, записи и RECALL
1 миллион циклов в магазине для QuantumTrap
Хранение данных: 20 лет при 85 °C
■ Часы в реальном времени (RTC)
Полнофункциональный RTC
¢ Часомер для сторожевой собаки
∆ Часовая сигнализация с программируемыми прерываниями
Указание на отказ от резервного питания
Выход квадратной волны с программируемой частотой (1 Гц, 512 Гц, 4096 Гц, 32,768 кГц)
Конденсатор или резервная батарея для RTC
️ резервный ток 0,45 мкА (типичный)
■ 40 МГц и 104 МГц Высокоскоростной серийный периферийный интерфейс (SPI)
¢ Часовая частота 40 МГц SPI запись и чтение с нулевой задержкой цикла

Поддерживает режим SPI 0 (0, 0) и режим 3 (1, 1)
■ Доступ SPI к специальным функциям

8 байтовый номер серии
Идентификатор производителя и идентификатор продукта
Режим сна
■ Защита от записи
Защита аппаратного обеспечения с помощью пина Write Protect (WP)
Защита программного обеспечения с помощью инструкции Write Disable
Защита программного блока для 1/4, 1/2 или всего массива
■ Низкое энергопотребление
Средний активный ток 3 mA при работе на частоте 40 MHz
Средний ток в режиме ожидания 250 μA

■ Конфигурации стандартов отрасли
Рабочее напряжение:
• CY14C101PA: VCC = от 2,4 В до 2,6 В
• CY14B101PA: VCC = 2,7 V до 3,6 V
• CY14E101PA: VCC = от 4,5 В до 5,5 В
Промышленная температура
Пакет 16-контактных малых интегральных схем (SOIC)
Ограничение опасных веществ (RoHS)

Спецификации

АтрибутЗначение атрибута
ПроизводительCypress Semiconductor Corp.
Категория продукцииРезонаторы
МфрCypress Semiconductor Corp.
Серия-
ПакетТрубка
Статус продуктаАктивный
Тип памятиНелетающие
Формат памятиNVSRAM
ТехнологииNVSRAM (нелетающая SRAM)
Размер памяти1 Мб (128 Кб x 8)
Интерфейс памятиППИ
Часовая частота40 МГц
Пишите-цикл-время-слово-страница-
Напряжение2,7 ~ 3,6 В
Операционная температура-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установкиПоверхностный монтаж
Пакетный чехол16-SOIC (0,295" 7,50 мм ширины)
Пакет изделий поставщика16-SOIC
Номер базового продуктаCY14B101

Функционально совместимый компонент

Форма, упаковка, функционально совместимый компонент

Производитель части#ОписаниеПроизводительСравните
CY14C101Q3A-SF104XI
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT
Память
Нелетающая SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, соответствующая требованиям ROHS, MO-119, SOIC-16Кипарис полупроводникCY14B101PA-SFXI против CY14B101I-SFXIT

Описания

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V 16-контактная SOIC-труба
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
China CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1 Мбит SPI 40 МГц 16SOIC Infineon Technologies supplier

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1 Мбит SPI 40 МГц 16SOIC Infineon Technologies

Запрос Корзина 0