AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.
Номер модели:AS4C16M16D1-5BCN
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подробная информация о продукции
Особенности
• Организация: 1,048,576 слов × 4 бита• Высокая скорость
- 40/50/60/70 нс времени доступа к RAS
- 20/25/30/35 ns время доступа к адресу столбца
- 10/13/15/18 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 385 мВт максимум (-60)
- В режиме ожидания: 5,5 мВт максимум, CMOS I/O
• режим быстрой страницы (AS4C14400) или EDO (AS4C14405)
• 1024 цикла обновления, интервал обновления 16 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 300 миллилитров, 20/26-пиновый SOJ
- 300 миллилитров, 20/26-принтовая ПТП
• Единое 5В питание
• Защита от ESD ≥ 2001V
• Замыкающий ток ≥ 200 мА
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Альянс Память, Inc. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | AS4C16M16D1 |
| Тип | DDR1 |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Стиль установки | SMD/SMT |
| Пакетный чехол | 60-TFBGA |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 2.3 В ~ 2,7 В |
| Пакет изделий поставщика | 60-TFBGA (13x8) |
| Способность памяти | 256 М (16 М х 16) |
| Тип памяти | DDR SDRAM |
| Скорость | 200 МГц |
| Время доступа | 0.7 нс |
| Формат-память | ОЗУ |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Диапазон температуры работы | 0 C |
| Организация | 16 М х 16 |
| Максимальный ток подачи | 135 мА |
| ширина ширины ширины | 16 бит |
| Максимальное напряжение питания | 2.7 В |
| Напряжение питания-минус | 2.3 В |
| Пакетный чехол | TFBGA-60 |
| Максимальная часовая частота | 200 МГц |
Описания
SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps
60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.
Запрос Корзина
0