MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
Номер модели:МТ416М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подробная информация о продукции
Мобильная маломощная DDR SDRAM
Особенности
• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95 Вт• Двунаправленный данный строб на байт данных (DQS)
• Внутренняя архитектура двойной скорости передачи данных (DDR); два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• 4 внутренних банка для одновременной работы
• Маски данных (DM) для маскировки записываемых данных; одна маска на байт
• Программируемые длины взрывов (BL): 2, 4, 8 или 16
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и режим самообновления
• Входы, совместимые с LVCMOS 1,8 В
• Самообновление с компенсацией температуры (TCSR)
• Частичное самообновление массива (PASR)
• Глубокое отключение питания (DPD)
• Регистр чтения состояния (SRR)
• Выбираемая мощность привода (DS)
• Возможность остановки часов
• 64 мс обновления, 32 мс для автомобильной температуры
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR) |
| Пакетный чехол | 90-VFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,7 В ~ 1,95 В |
| Пакет изделий поставщика | 90-VFBGA (8x13) |
| Способность памяти | 512M (16M x 32) |
| Тип памяти | Мобильная LPDDR SDRAM |
| Скорость | 200 МГц |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
SDRAM - Мобильная память LPDDR IC 512Mb (16M x 32) Параллельная
200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512 Мбит PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
Запрос Корзина
0