SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Технология микрочипов
Номер модели:SST38VF6401B-70I/CD
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подробная информация о продукции
Описание продукта
SST38VF166 состоит из трех банков памяти, по 2 флэш EEPROM 512K x16 битного сектора, плюс 4K x16 битная E2PROM, изготовленная на основе патента SST,высокопроизводительная технология SuperFlash. SST38VF166 стирает и программирует с помощью одного источника питания.Устройство соответствует (предложенным) стандартам JEDEC для запоминания слов.СТРАНИЦЫ:
• Обычные операции чтения и записи 2,7-3,6 В• Отдельные банки памяти для кода или данных
Умение одновременно читать и писать
• Высокая надежность
Выдержка:
Банк E2 - 500 000 циклов (типичный)
Флэш-банк - 100 000 циклов (типичный)
Хранение данных более 100 лет
• Низкое энергопотребление
Активный ток: 15 мА (типичный)
Активный ток, одновременное чтение при записи: 40 мА (типичный)
️ Течение в режиме ожидания: 3 мА (типичное)
Автомобильный низкомощный режим тока: 3 μA (типичный)
• Операция быстрой записи
Флэш-банк-удаление + программа: 8 сек (типично)
Flash Block-Erase + Программа: 500 мс (типично)
Флэш-сектора-потеря + программа: 30 мс (типично)
¢ E2 bank Word-Write: 9 мс (типично)
• Установлено время стирания, программирования и записи
¢ Не меняйте скорость после езды на велосипеде
• Время чтения
70 нс
• Запертый адрес и данные
• Выявление конца текста
️ Переключатель
Данные# Опрос
• Банк E2:
Word-write (автоматическое стирание перед программой)
Стерть сектор (32 слова) + Программа слова (такая же, как Флэш-банк)
• Флэш-банк: два небольших размера стиральных элементов
1 кВт на сектор или 32 кВт на блок
Удалить любой элемент перед Word-программой
• CMOS I/O совместимость
• Стандартный комплект команд JEDEC
• Доступные пакеты
48-контактный TSOP (12мм х 20мм)
• Постоянная защита данных с использованием аппаратного и программного обеспечения (SDP)
• Одноразовый программируемый (OTP) сектор E2
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Технология микрочипов |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | SST38 |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Стиль установки | SMD/SMT |
| Диапазон температуры работы | - от 40 до + 85 градусов |
| Пакетный чехол | 48-TFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 2.7 В ~ 3.6 В |
| Пакет изделий поставщика | 48-TFBGA (6x8) |
| Способность памяти | 64M (4M x 16) |
| Тип памяти | ФЛАСШ |
| Скорость | 70 нм |
| Архитектура | Сектор |
| Формат-память | ФЛАСШ |
| Тип интерфейса | Параллельно |
| Организация | 4 М х 16 |
| Максимальный ток подачи | 30 мА |
| ширина ширины ширины | 16 бит |
| Максимальное напряжение питания | 3.6 В |
| Напряжение питания-минус | 2.7 В |
| Пакетный чехол | TFBGA-48 |
| Тип синхронизации | Асинхронные |
Описания
Flash Memory IC 64Mb (4M x 16) Параллельный 70ns 48-TFBGA (6x8)
Flash Parallel 3.3V 64M-bit 4M x 16 70ns 48-pin TFBGA трей
Флэш-память 64 Мбит x16 Advanced Multi-Pur Flash plus
SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Технология микрочипов
Запрос Корзина
0