IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Номер модели:IS42S16160J-7BLI
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подробная информация о продукции
Описание ISSI ′s 16Mb Синхронная DRAM IS42S16100 организована как 524,288 слов х 16-битных х 2-банка для улучшения производительности.Синхронные DRAM обеспечивают высокоскоростную передачу данных с использованием архитектуры трубопроводаВсе входные и выходные сигналы относятся к восходящему краю входа часов.
СТРАНИЦЫ
• Частота часов: 166, 143, 100 МГц• Полностью синхронный; все сигналы ссылаются на положительный часовой пояс
• Два банка могут работать одновременно и независимо друг от друга
• Двойной внутренний банк, контролируемый A11 (выбрать банк)
• Единое питание 3,3 В
• интерфейс LVTTL
• Программируемая длина взрыва ?? (1, 2, 4, 8, полная страница)
• Программируемая последовательность взрывов: последовательность/промежуток
• Автоматическое обновление, самообновление
• 4096 циклов обновления каждые 128 мс
• Случайный адрес столбца в каждом цикле часов
• Программируемая задержка CAS (2, 3 часа)
• Возможность быстрого чтения/записи и однократного чтения/записи
• Прекращение взрыва командой "стоп" и "предзарядка"
• Байт, контролируемый LDQM и UDQM
• Пакет 400-миллиметровой 50-пинной TSOP II
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | ИССИ |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | - |
| Опаковка | Замена упаковки на подносе |
| Пакетный чехол | 54-TFBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 3 В ~ 3,6 В |
| Пакет изделий поставщика | 54-TFBGA (8x8) |
| Способность памяти | 256 М (16 М х 16) |
| Тип памяти | SDRAM |
| Скорость | 143 МГц |
| Формат-память | ОЗУ |
Описания
Память SDRAM IC 256Mb (16M x 16) Параллельно 143MHz 5.4ns 54-TFBGA
(8x8)
DRAM Чип SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 шары BGA (8mmx8mm) RoHS,
IT
IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Запрос Корзина
0