S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Технологии Infineon
Номер модели:S29GL01GS11FHIV23
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подробная информация о продукции
GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash Неволатильная память семейства
S29GL01GS 1 Гбит (128 Мбайт)S29GL512S 512 Мбит (64 Мбайт)
S29GL256S 256 Мбит (32 Мбайт)
S29GL128S 128 Мбит (16 Мбайт)
CMOS 3.0 Volt Core с универсальным вводом/выводом
Общее описание
Spansion® S29GL01G/512/256/128S - это флеш-продукты MirrorBit Eclipse, изготовленные по технологии процесса 65 нм.Эти устройства предлагают быстрое время доступа к странице до 15 нс с соответствующим временем случайного доступа до 90 нс. Они имеют буфер записи, который позволяет программировать максимум 256 слов/512 байтов в одну операцию, в результате чего более эффективныйЭто делает эти устройства идеальными для современных встроенных приложений, требующих более высокой плотности, лучшей производительности и более низкого расхода энергии.
Отличительные черты
Технология "Зеркалобита" 65 нмОдно питание (VCC) для чтения / программы / удаления (2.7V до 3.6V)
¢ Многофункциональная функция ввода/вывода
Широкий диапазон напряжения ввода/вывода (VIO): 1,65V до VCC
¢x16 шина данных
Прочитано 32 байта страницы
512-байтовый программирующий буфер
Програмирование в многократных страницах, до 512 байтов
Одно слово и несколько программ на одном и том же варианте слов
¢Удаление сектора
Однообразные секторы на 128 кбайт
- Приостановить и возобновить команды для операций программы и стирания
Реестр состояния, опрос данных и методы подключения к устройству "готовый" или "загруженный" для определения состояния устройства
Продвинутая секторная защита (ASP)
¢ Методы защиты от изменчивости и изменчивости для каждого сектора
Отдельный 1024-байтовый массив одноразовой программы (OTP) с двумя блокируемыми регионами
Таблица параметров общего интерфейса Flash (CFI)
∆Температурный диапазон
Промышленный (от -40°C до +85°C)
В салоне (от -40°C до +105°C)
100 000 циклов стирания для любого сектора
Обычно хранится 20 лет
¢Опции упаковки
– 56-pin TSOP
️ 64-кулевой LAA Укрепленный BGA, 13 мм х 11 мм
️ 64-кулевой LAE Укрепленный BGA, 9 мм х 9 мм
56-кулевой VBU Укрепленный BGA, 9 мм х 7 мм
Спецификации
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | Кипарис полупроводник |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | GL-S |
| Опаковка | Альтернативная упаковка с лентой и катушкой (TR) |
| Пакетный чехол | 64-LBGA |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | Параллельно |
| Напряжение | 10,65 V ~ 3,6 V |
| Пакет изделий поставщика | 64-укрепленный BGA (13x11) |
| Способность памяти | 1G (64M x 16) |
| Тип памяти | ФЛАСШ - НО |
| Скорость | 110 нс |
| Формат-память | ФЛАСШ |
| Производитель части# | Описание | Производитель | Сравните |
| S29GL01GS11DHIV20 Память | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11DHIV20 |
| S29GL01GS11DHIV10 Память | Флэш, 128MX8, 110ns, PBGA64, ПАКЕЖ | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11DHIV10 |
| S29GL01GS10DHI020 Память | Флэш, 128MX8, 100ns, PBGA64, ПАКЕЖ | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS10DHI020 |
| S29GL01GS11DHI020 Память | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11DHI020 |
| S29GL01GS10DHI010 Память | Флэш, 128MX8, 100ns, PBGA64, ПАКЕЖ | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS10DHI010 |
| S29GL01GS11DHI010 Память | Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11DHI010 |
| S29GL01GS12DHIV10 Память | Flash, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 X 9 MM, без галогена и свинца, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS12DHIV10 |
| S29GL01GS10FHI010 Память | Flash, 64MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS10FHI010 |
| S29GL01GS11FHIV10 Память | Flash, 64MX16, 110ns, PBGA64, FBGA-64 | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11FHIV10 |
| S29GL01GS11FHI010 Память | Флэш, 128MX8, 110ns, PBGA64, | Кипарис полупроводник | S29GL01GS11FHIV23 против S29GL01GS11FHI010 |
Описания
Flash - NOR Memory IC 1Gb (64M x 16) Параллельный 110ns
64-укрепленный BGA (13x11)
NOR Flash Параллельный 3V/3.3V 1G-бит 64M x 16 110ns 64-контактный
укрепленный BGA T/R
Флэш-память 1G BIT, 3V, 110NS, 64-BALL FBGA, PAGE MODE Флэш-память
с технологией процесса 65 NM MIRRORBIT, VIO, LOWEST ADDRESS SECTOR
PROTECTED
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Технологии Infineon
Запрос Корзина
0