китай категории
Русский язык

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp.

Номер модели:CY7C1350G-133BGXC
Минимальное количество заказа:1
Условия оплаты:T/T
Способность к поставкам:В наличии
Время доставки:3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке:антистатический пакет и картонная коробка
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес: Но. 2520, 25th пол, блок a, новое здание Азии Guoli, улица Huaqiang северная, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 26 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Подробная информация о продукции


Функциональное описание

CY7C1350G представляет собой 3,3 В, 128 К × 36 синхронно-трубопроводную SRAM, специально разработанную для поддержки неограниченных истинных операций с обратным чтением/записью без вставки состояний ожидания.CY7C1350G оснащен передовой логикой No Bus LatencyTM (NoBLTM), необходимой для обеспечения последовательных операций чтения/записи с передачей данных на каждом цикле часовЭта функция значительно улучшает пропускную способность SRAM, особенно в системах, требующих частых переходов записи/чтения.

Особенности

■ Совместимость и функциональный эквивалент устройств ZBTTM
■ Внутреннее самосчитываемое управление буфером выхода для устранения необходимости использования ОЭ
■ Возможность записи байтов
■ 128 K × 36 общая архитектура В/В
■ 3,3 В питание (VDD)
■ 2,5-В / 3,3-В входное/выходное питание (VDDQ)
■ Быстрое время отсчета до выпуска
2,8 нс (для устройства с частотой 200 МГц)
■ Пин CEN для приостановки работы
■ Синхронное автономирование
■ Асинхронный выход (OE)
■ Доступно в 100-прицепном пакете TQFP без Pb, без Pb и без Pb в 119-кулочном пакете BGA
■ Способность к взрыву ∙ линейный или переплетенный порядок взрывов
■ опция режима спящего режима

Спецификации

АтрибутЗначение атрибута
ПроизводительКипарис полупроводник
Категория продукцииМемориальные микросхемы
СерияNoBLTM
ОпаковкаПоднос
Пакетный чехол119-BGA
Операционная температура0°C ~ 70°C (TA)
ИнтерфейсПараллельно
Напряжение3.135 В ~ 3.6 В
Пакет изделий поставщика119-PBGA (14х22)
Способность памяти4.5M (128K x 36)
Тип памятиSRAM - синхронная
Скорость133 МГц
Формат-памятьОЗУ

Описания

SRAM - Синхронная память IC 4,5Mb (128K x 36) Параллельно 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
China CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. supplier

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp.

Запрос Корзина 0