Поверхностный обломок 64Kbit флэш-памяти держателя, CAT28C64BG-12T внезапный IC EEPROM

ОПИСАНИЕ

CAT28C64B быстрое, низкая мощность, параллель EEPROM 5V-only CMOS организованная как 8K x 8 битов. Оно требует простого интерфейса для программирования в-системы. защелки адреса и данных по На-обломока, само-синхронизированные пишут цикл с автоматическ-ясным и VCC сила up/down пишет защиту для того чтобы исключить дополнительное оборудование времени и защиты. Полинг ДАННЫХ и шарнирнорычажные биты состояния сигнализируют начало и конец само-синхронизированного пишет цикл. Дополнительно, CAT28C64B отличает оборудованием и программное обеспечение пишет защиту.
CAT28C64B изготовлено используя технологию плавучего затвора CMOS катализатора предварительную. Оно конструирован для того чтобы вытерпеть 100 000 циклов программы/стирания и имеет удерживание данных 100 лет. Прибор доступен в JEDEC одобрил ПОГРУЖЕНИЕ 28 штырей, TSOP, SOIC, или, 32 пакет штыря PLCC.

ОСОБЕННОСТИ

■Быстрые прочитанные времена выборки:
– 90/120/150ns
■Диссипация CMOS низкой мощности:
– Активный: 25 мам максимальных.
– Положение боевой готовности: µA 100 максимальное.
■Простой напишите деятельность:
– защелки адреса и данных по На-обломока
– Само-синхронизированный напишите цикл с автоматическ-ясным
■Быстро напишите время цикла:
– 5ms максимальное.
■CMOS и I/O TTL совместимый
■Оборудование и программное обеспечение пишут защиту
■Коммерчески, промышленный и автомобильный
диапазоны температур
■Автоматическая страница пишет деятельность:
– 1 до 32 байта в 5ms
– Таймер нагрузки страницы
■Конец написать обнаружение:
– Шарнирнорычажный бит
– Полинг ДАННЫХ
■100 000 циклов программы/стирания
■удерживание 100 данным по года