китай категории
Русский язык

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Место происхождения:Китай
Минимальное количество заказов:1
Время доставки:Запасы
Срок поставки:5-7days
Условия оплаты:Т/Т через банк
Номер модели:Серия STCX
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Wuhan Hubei China
Адрес: Промышленный парк Sintec, Китайская долина оптики, Ухань, провинция Хубэй, КНР
последний раз поставщика входа: в рамках 39 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Мощные диодные лазерные чипы с одним излучателем / линейки / массивы / стеки

(1) Мощные лазерные чипы с одним излучателем — серия BC

оптический
Центральная длина волны нм 915 915 976 976
Допустимое отклонение длины волны нм ±10 ±10 ±3 ±3
Выходная мощность Вт 25 30 25 30
Рабочий режим # CW CW CW CW
Расхождение по быстрой оси градус 55 55 55 55
Дивергенция по медленной оси градус 9,5 9,5 9,5 9,5
Спектральная ширина (FWHM) нм 4 4 4 4
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,3 0,3 0,33 0,33
ТЕ поляризация % 97 97 97 97
Электрический
Ширина излучателя мкм 195 230 195 230
Длина полости мм 4,5 4,5 4,5 4,5
Ширина мкм 400 400 400 400
Толщина мкм 145 145 145 145
Геометрический
Эффективность электрооптического преобразования. % 62 62 63 63
Эффективность наклона Вт/Д 1,15 1,15 1.1 1.1
Терхольд Текущий А 1,5 1,8 1.1 1,5
Рабочий ток А 25 30 25 30
Рабочее напряжение В 1,65 1,65 1,55 1,55

(2) Мощная диодная линейка — серия BB

оптический
Центральная длина волны нм 808 808 808 808 940 940
Допустимое отклонение длины волны нм ±10 ±10 ±10 ±3 ±3 ±3
Выходная мощность Вт 50 60 100 ≥500 200 ≥700
Расхождение по быстрой оси градус ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
Дивергенция по медленной оси градус ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5
Спектральная ширина (FWHM) нм ≤2,5 ≤2,5 ≤3 ≤3,5 ≤3 5
ТЕ поляризация ТМ/ТЕ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,28 0,28 0,28 0,28 0,3 0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
Эффективность наклона Вт/Д 1,25 1,25 1,25 1,25 1 1,15
Пороговый ток А 8 12 15 25 25 25
Рабочий ток А 50 60 105 ≤430 220 650
Рабочее напряжение В 1,8 1,8 1,8 2.0 1,55 1,7
Ширина импульса нас - - - 200 - 500
Частота импульсов Гц - - - 400 - 160
Импульсный рабочий цикл % - - - 8 - 8
Геометрический
Количество излучателей # 19 49 49 34 24 34
Ширина излучателя мкм 150 100 100 232 200 232
Шаг эмиттера мкм 500 200 200 290 400 290
Коэффициент заполнения % 30 50 50 80 50 80
Длина полости мм 1,0 1,0 1,5 1,5 3 2
Толщина стержня мкм 145 145 145 115 115 115
Длина стержня мм 10 10 10 10.25 10.25 10.25
Термальный
Рабочая Температура 25 25 25 25 20 25
Температура хранения 40~80 -40~80 40~80 40~80 -40~80 40~80
Скорость потока л/мин / 0,25 0,25 0,20 0,25 0,25

(3) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия TOF

оптический
Центральная длина волны @ Iop нм 808 850 940 940
Спектральная ширина (полуширина) нм 2 2 2 2
Сдвиг длины волны/температура нм/℃ 0,07 0,07 0,07 0,07
Апертура излучателя мкм 10 10 10 10
Минимальный шаг излучателя мкм 44 47 33 40
Номер эмиттера / 621 1216 305 364
Выходная мощность Вт 3.1 4 2.1 3.1
Рабочий ток А 3,5 5 2,8 3,5
Потребляемая мощность Вт 7 10 5.6 7
Рабочее напряжение В 2 2 2 2
Операционная эффективность % 35 40 40 40
Пороговый ток А 0,7 1,2 0,38 0,47
Угол расхождения ° 22 22 20 20
Геометрический
Длина излучателя мкм 916 1535 525 916
Ширина излучателя мкм 901 1560 615 610
Длина чипа мкм 1206 1845 г. 695 996
Ширина чипа мкм 1006 1670 795 890
Толщина стружки мкм 100 100 100 100

(4) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия SL

оптический
Центральная длина волны @ Iop нм 934 940 946
Спектральная ширина (полуширина) нм 2
Сдвиг длины волны/температура нм/℃ 0,07
Апертура излучателя мкм 8
Минимальный шаг излучателя мкм 21
Номер излучателя (область A) - 377
Номер излучателя (зона B) - 6
Выходная мощность (зона А) Вт 1,3 1,5 1,7
Выходная мощность (зона B) Вт 0,024
Мощность в одной точке Вт 0,004
Рабочий ток (площадь А) А 3,6
Рабочий ток (зона B) А 0,06
Потребляемая мощность (зона А) Вт 3,6
Потребляемая мощность (зона B) Вт 0,06
Рабочее напряжение В 2
Операционная эффективность % 40 45
Пороговый ток (область A) А 0,38
Пороговый ток (область B) А 0,006
Угол расхождения ° 20
Геометрический
Длина светящейся зоны мкм 523
Ширина светоизлучающей области мкм 548
Длина чипа мкм 758 778 798
Ширина чипа мкм 701 721 741
Толщина стружки мкм 90 100 110

(5) Мощные диодные микросхемы VCSEL — серия LI

оптический
Центральная длина волны нм 905 940
Спектральная ширина (полуширина) нм 2 2
Сдвиг длины волны/температура нм/℃ 0,07 0,07
Апертура излучателя мкм 12 12
Минимальный шаг излучателя мкм 22 22
Номер эмиттера / 136 136
Выходная мощность Вт 60 60
Рабочий ток А 15 15
Потребляемая мощность Вт 300 300
Рабочее напряжение В 25 25
Операционная эффективность % 20 20
Пороговый ток А 0,2 0,2
Угол расхождения ° 20 20
Геометрический
Длина излучателя мкм 273 273
Ширина излучателя мкм 288 288
Длина чипа мкм 520 520
Ширина чипа мкм 401 401
Толщина стружки мкм 100 100

(6) Мощный диодный лазер — серия COS

оптический
Центральная длина волны нм 915 915 976 976
Допустимое отклонение длины волны нм ±10 ±10 ±3 ±3
Выходная мощность Вт 25 30 25 30
Рабочий режим # CW CW CW CW
Расхождение по быстрой оси градус 55 55 55 55
Дивергенция по медленной оси градус 9,5 9,5 9,5 9,5
Спектральная ширина (FWHM) нм 4 4 4 4
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,3 0,3 0,33 0,33
ТЕ поляризация % 97 97 97 97
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования % 62 62 63 63
Эффективность наклона Вт/Д 1,15 1,15 1.1 1.1
Терхольд Текущий А 1,5 1,8 1.1 1,5
Рабочий ток А 25 30 25 30
Рабочее напряжение В 1,65 1,65 1,55 1,55
Геометрический
Ширина излучателя мкм 195 230 195 230
Длина полости мм 4,5 4,5 4,5 4,5
Ширина мкм 400 400 400 400
Толщина мкм 145 145 145 145

(7) Мощные диодные лазерные устройства – серия MCC

оптический
Центральная длина волны нм 808 808 808 808 940 940
Допустимое отклонение длины волны нм ±10 ±10 ±10 ±10 ±3 ±3
Выходная мощность Вт 50 60 100 ≥500 200 200
Расхождение по быстрой оси градус ≤65 ≤65 ≤65 ≤65 ≤55 ≤55
Дивергенция по медленной оси градус ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5 ≤8,5
Спектральная ширина (FWHM) нм ≤2,5 ≤2,5 ≤3 ≤3,5 ≤3 ≤3
Режим поляризации ТМ/ТЕ ТЭ ТЭ
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,28 0,28 0,28 0,28 0,3 0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования % ≥55 ≥55 ≥55 ≥58 ≥63 ≥63
Эффективность наклона Вт/Д 1,25 1,25 1,25 1,25 1 1,15
Терхольд Текущий А 8 12 15 25 25 25
Рабочий ток А 50 60 105 ≤430 220 650
Рабочее напряжение В 1,8 1,8 1,8 2.0 1,55 1,7
Ширина импульса нас - - - 200 - 500
Частота импульсов Гц - - - 400 - 160
Импульсный рабочий цикл % - - - 8 - 8
Геометрический
Количество излучателей # 19 49 49 34 24 34
Ширина излучателя мкм 150 100 100 232 200 232
Шаг эмиттера мкм 500 200 200 290 400 290
Коэффициент заполнения % 30 50 50 80 50 80
Длина полости мм 1,0 1,0 1,5 1,5 3 2
Толщина стержня мкм 145 145 145 115 115 115
Длина стержня мм 10 10 10 10.25 10.25 10.25
Термальный
Рабочая темп. 25 25 25 25 20 25
Температура хранения -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80 -40~80
Расход воды л/мин / 0,25 0,25 0,20 0,25 0,25

(8) Блоки мощных диодных лазеров — серия MCP

оптический
Центральная длина волны нм 808 808 808
Допустимое отклонение длины волны нм ±10 ±10 ±3
Выходная мощность Вт 60 100 300
Количество баров # 2 ~ 60 2 ~ 60 2 ~ 60
Спектральная ширина (FWHM) нм ≤8 ≤8 4
Рабочий режим # CW CW QCW
Расхождение по быстрой оси градус ≤42 ≤42 40
Дивергенция по медленной оси градус ≤10 ≤10 10
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,28 0,28 0,28
Электрический
Эффективность преобразования энергии % 50 50 50
Эффективность наклона/бар Вт/Д ≥1,1 ≥1,1 1.1
Пороговый ток А 4,5 4,5 4,5
Рабочий ток А 0,16 0,16 290
Рабочее напряжение/бар В ≤2 ≤2 1,8
Термальный
Рабочая Температура 15 ~ 35 15 ~ 35 25
Температура хранения 0~55 0~55 0~55
Бар/Скорость воды/Бар л/м 0,3~0,5 0,3~0,5 0,3
Входное максимальное давление пси 55 55 55
Тип воды - деионизированная вода деионизированная вода деионизированная вода
Удельное сопротивление деионизированной воды (DI) кОм·см 200~500 200~500 200~500
Частицы фильтра чистой воды мкм <20 <20 <20

(9) Блоки мощных диодных лазеров — серия QCP

оптический
Центральная длина волны нм 808 808
Допустимое отклонение длины волны Вт ±3 ±10
Выходная мощность бара/бар % 300 40
Количество баров % 2 ~ 24 60
Общая выходная мощность мкм - 2400
Расстояние между стержнями - 0,4 ~ 1,8 0,9
Спектральная ширина (FWHM) - 4 8
Ширина импульса м 50-500 10-100
Скорость повторения 1-200 1-10
Дивергенция по быстрой оси (FWHM) нм 40 40
Дивергенция по медленной оси (FWHM) мВт 10 10
Температурный коэффициент длины волны 0,28 0,28
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования % 50 50
Эффективность наклона/бар Вт/Д 1.1 1.1
Пороговый ток А 20 10
Рабочий ток А 300 50
Рабочее напряжение/бар В 2 1,8
Термальный
Тип воды - Чистая вода Чистая вода
Рабочая Температура 25 25
Температура хранения -40-85 -40-85

(10) Мощные диодные лазерные устройства – серия TO

оптический
Мин. Типичный Макс
Центральная длина волны нм 820 830 840
Допустимое отклонение длины волны нм ±10
Выходная мощность Вт 1,0
Спектральная ширина (FWHM) нм 3.0 4.0
Температурный коэффициент длины волны нм/℃ 0,3
Электрический
Эффективность электрооптического преобразования % 36 42
Эффективность наклона Вт/Д 1,05 1.1
Пороговый ток А 0,38 0,45
Рабочий ток А 1,28 1,40
Рабочее напряжение В 1,8 2.2
Термальный
Рабочая Температура 0 25 40
Температура хранения -20~70

Диодные чипы/стержни/стеки aser серии SBN

China Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки supplier

Обломоки лазерного диода одиночного излучателя наивысшей мощности/прутья/массивы/стеки

Запрос Корзина 0