китай категории
Русский язык

Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм

Место происхождения:Китай
Минимальное количество заказов:1
Время доставки:Запасы
Срок поставки:5-7days
Условия оплаты:Т/Т через банк
Номер модели:Серия STR
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Wuhan Hubei China
Адрес: Промышленный парк Sintec, Китайская долина оптики, Ухань, провинция Хубэй, КНР
последний раз поставщика входа: в рамках 39 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Чипы диодов с одним эмиттером и голые шины от 638 нм до 1550 нм

1. Один излучатель

Микросхемы лазерных диодов с одним излучателем (SE) являются базовым конструктивным блоком для мощных полупроводниковых лазерных модулей высокой яркости.Мы производим одиночные чипы с различной выходной мощностью и длиной волны.

Номер частиДлина волны, нмВыходная мощностьТок/напряжениеШирина излучения, мкмДивергенция, градРазмер, мкм
СТР-638А-110-1-1,5-СЭ6381 Вт1,4 А/2,1 В1108/351500x400x150
СТР-755А-350-8-2,5-СЭ7558 Вт8А/1,9В3509/382500x500x150
СТР-808А-150-3-1-СЭ8083 Вт3А/1,9В1508/241000x500x150
СТР-808А-190-10-4-СЭ80810 Вт10А/1,8В19010/384000x500x150
СТР-808А-350-10-2,5-СЭ80810,5 Вт10А/1,8В3508/362500x500x150
СТР-880А-190-10-4-СЭ88010 Вт12А/1,8В1908/322500x500x150
СТР-880А-350-10-2,5-СЭ8809,8 Вт10А/1,8В3508/342500x500x150
СТР-905А-74-25-0,75-СЭ90525 Вт7А/7,2В7413/30750 x 400 x 150
СТР-905А-150-50-0,75-СЭ90550 Вт14А/7,6В15031 декабря750X400X150
СТР-905А-200-75-0,75-СЭ90575 Вт20А/8,4В20012/30750X400X150
СТР-905Б-200-25-0,75-СЭ90525 Вт20А/3,8В20014750X600X150
СТР-905-38-15-0,75-СЭ90515 Вт5А/9,2В3835/30750X400X150
СТР-905С-70-25-0,75-СЭ90525 Вт8А/8,2В7017/30750X400X150
СТР-905С-300-75-0,75-СЭ90575 Вт22А/9,5В30012/30750 x 400 x 150
СТР-905Д-300-100-0,75-СЭ905100 Вт22А/11В30013/30750 x 400 x 150
СТР-915А-96-12-4.8-СЭ91512 Вт12А/1,6В9626.10.4800x500x150
СТР-915А-190-20-4-СЭ91520 Вт20А/1,7В19026.10.4000x500x150
СТР-940А-96-12-4.8-СЭ94012 Вт12А/1,6В9626.10.4800x500x150
СТР-940А-190-20-4-СЭ94020 Вт20А/1,7В19026.10.4000x500x150
СТР-976А-96-10-4.8-СЭ97610 Вт10А/1,8В9627 сентября4800x500x150
СТР-976А-96-12-4.8-СЭ97612 Вт12А/1,6В9626.10.4800x500x150
СТР-976А-96-13-4-СЭ97613 Вт12,5 А/1,5 В968/284000x500x150
СТР-976А-190-15-4-СЭ97615,5 Вт15А/1,6В19029.104000x500x150
СТР-976А-190-20-4-СЭ97620 Вт20А/1,7В19026.10.4000x500x150
СТР-1064А-190-10-4-СЭ106410 Вт14А/0,9В19010/304000x500x150
СТР-1064А-350-10-2,5-СЭ106410 Вт13А/1,6В35029.102500x500x150
СТР-1470А-96-1,5-1-СЭ14701,5 Вт4А/1,4В9631 ноября1000x500x150
СТР-1470А-96-3-2-СЭ14703 Вт9А/1,5В9628.112000x500x150
СТР-1550А-96-1,5-1-СЭ15501,5 Вт4А/1,4В9631 ноября1000x500x150
СТР-15500А-96-3-2-СЭ15503 Вт9А/1,5В9628.112000x500x150

2. Голые бары

Bare bar представляет собой массив отдельных полупроводниковых лазерных чипов с суммарной выходной мощностью от десятков до нескольких сотен ватт.Наш запатентованный процесс пассивации граней обеспечивает надежность, необходимую для самых строгих приложений.

В следующей таблице WL означает длину волны, I/V означает рабочий ток/напряжение, N означает количество излучателей, P/ширина означает период (мкм)/ширину излучателя (мкм), L/W/T означает длину/ширину/ толщина бруска.

Номер частиWL нмРежимВластьИ/ВНP/Ширина гмЗаполнениеL/W/T мкм
СТР-755А-48-80-23-1,5-БАР755QCW80 Вт86А/1,9В23499/19048%1500x10000x150
СТР-808А-30-50-19-1-БАР808CW50 Вт45А/1,7В19500/15030%1000x98000x150
СТР-808А-48-100-23-1,5-БАР808CW100 Вт88А/1,75В23400/19048%1500x9800x150
СТР-808А-72-300-34-1,5-БАР808QCW300 Вт190А/1,85В34290/21072%1500x10000x150
СТР-940А-30-100-19-2-БАР940CW100 Вт95А/1,65В19500/15030%2000x10000x150
СТР-940А-50-200-24-3-БАР940CW200 Вт195А/1,63В24400/20050%3000x10200x150
СТР-940А-76-600-40-2-БАР940QCW600 Вт600А/1,8В40250/19076%2000x10400x150
СТР-976А-10-35-5-4-БАР976CW35 Вт35А/1,7В51000/10010%4000x5000x150
СТР-1470А-18-8-6-2-БАР1470CW8 Вт24А/1,4В6400/9618%2000x3000x150
China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм supplier

Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм

Запрос Корзина 0