китай категории
Русский язык

от 755нм до 1550нм диодные голые лазерные чипы/прутки/лазерные диоды массива стога

Место происхождения:Китай
Минимальное количество заказов:1
Время доставки:Запасы
Условия оплаты:Т/Т через банк
Номер модели:Серия СБН
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Wuhan Hubei China
Адрес: Промышленный парк Sintec, Китайская долина оптики, Ухань, провинция Хубэй, КНР
последний раз поставщика входа: в рамках 39 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

755nm до 1550nm диодные лазерные чипы / стволы / диоды с лазерным массивом

 

Мы, диодная лазерная компания, производим высокомощные диодные лазеры и системы в широком диапазоне выходной мощности и длины волны, включая рост и разрезание пластин, соединение волокон и лазер с штрих-клапами.Более 1000 моделей для вашего выбораОснована в 2011 году, насчитывает более 60 техников и 2 ученых, 20 из которых имеют степень доктора философии.Наш текущий годовой оборот составляет около 20 миллионов долларов США с ростом на 30% в годовом исчисленииНаши сильные стороны заключаются в талантливых сотрудниках, инженерии качества, контроле процессов, разработке продукции и производстве в больших объемах.

1Голый лазерный чип/бар

Оптические

Центральная длина волны755nm,808nm,830nm,905nm,940nm,976,1550nm
Толерантность длины волны±10nm, ±5nm, ±3nm
Выходная мощность2W, 10W, 20W, 50W, 100W, 150W, 200W, 300W, 500W, 1000W
Рабочий режимCW/QCW/один режим
Количество эмитента1 ~ 60
Фактор заполнения30% ~ 75%
Длина полости1000um/1500um/2000um/3000um/4000um

Электрические

Рабочий ток1 ~ 300 А
Предельный ток0.5 ~ 50А
Рабочее напряжение1.8~2.1В
Эффективность преобразования мощности30% ~ 60%

Тепловые

Рабочая температура25°C
Температура хранения-30-80°C
Коэффициент температуры длины волны¥0,3 нм/°С

2. Лазерные диоды массива

Оптические

Центральная длина волны755 нмм, 808 нм, 915 нм, 940 нм, 976 нм, 1064 нм
Толерантность длины волны±10nm, ±5nm, ±3nm
Выходная мощность за бар20W/40W/80W/100W/200W/300W~30000W
Количество баров1 ~ 60 шт.
Рабочий режимCW/QCW

Электрические

Рабочий ток1 ~ 300 А
Предельный ток0.5 ~ 50А
Рабочее напряжение1 ~ 40 В
Эффективность преобразования мощности30% ~ 60%

Факультативные функции: объектив FAC, объектив SAC.

Тепловые

Рабочая температура-20~70°C
Температура хранения-30-80°C
Коэффициент температуры длины волны¥0,3 нм/°С
Способ охлажденияВодоохлажденный/ТЭК/Проводящий охлажденный/Воздушноохлажденный
China от 755нм до 1550нм диодные голые лазерные чипы/прутки/лазерные диоды массива стога supplier

от 755нм до 1550нм диодные голые лазерные чипы/прутки/лазерные диоды массива стога

Запрос Корзина 0