Стабильный 20 В низкомощный P-канал Мосфета, практичный низковольтный высокоточный транзистор
Место происхождения:Гуандун, CN
Подробная информация об упаковке:Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки:2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты:100% T/T заранее ((EXW)
Способность к поставкам:5кк/месяц
эффективность:Высокая эффективность и надежность
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Dongguan Guangdong China
Адрес:
405,4F, B2 Bldg, Tian'an Cyber Park, No1 Huangjin Road, район Нанченг, город Донггуан, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 1 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Описание продукта:
Внедрение низковольтного MOSFET от SGT, прорывной оптимизации FOM, которая охватывает больше приложений.Это низкое напряжение входной мосфета предлагает низкую потерю мощности и низкое пороговое напряжение, что позволяет использовать его в различных водителя двигателя, 5G базовая станция, хранилище энергии, высокочастотный коммутатор, синхронная ректификация, беспроводная зарядка, быстрая зарядка, DC/DC конвертерные приложения.Этот SGT низковольтный MOSFET гарантирует, что потребление энергии остается низкимЭтот продукт является идеальным выбором для оптимальной работы в этих приложениях.
Технические параметры:
| Атрибут | Описание |
|---|---|
| Процесс структуры | Тренч/СГТ |
| Применение траншейного процесса | Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция. |
| Преимущества процесса SGT | Прорыв в оптимизации FOM, охватывающий больше приложений. |
| Наименование продукта | Низковольтный MOSFET |
| Потребление энергии | Низкая потеря мощности |
| Применение процесса СГТ | Двигатель, базовая станция 5G, хранилище энергии, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция. |
| Способность EAS | Высокая способность EAS |
| Преимущества траншеи | Меньшие RSP, как серийные, так и параллельные конфигурации могут свободно комбинироваться и использоваться. |
| Эффективность | Высокая эффективность и надежность |
| Сопротивление | Низкий Rds ((ON) |
| MOSFET низкого порогового напряжения | MOSFET низкого порогового напряжения |
| Транзистор низкого напряжения | Транзистор низкого напряжения |
| MOSFET низкого напряжения | MOSFET низкого напряжения |
Применение:
Транзистор эффекта поля низкого напряжения REASUNOS (Low Voltage MOSFET) является идеальным решением для широкого спектра приложений, от драйвера двигателя, базовой станции 5G, хранилища энергии, высокочастотного коммутатора,синхронная ректификация и многое другоеПроисходит из Гуандун, Китай, низковольтный MOSFET предлагается по цене, которая может быть подтверждена на основе продукта.и антистатическая трубчатая упаковкаВремя доставки обычно составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.Низковольтный MOSFET имеет процесс Trench / SGT, который предлагает прорывную оптимизацию FOMКроме того, он обладает высокой способностью EAS и высокой эффективностью и надежностью.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и услуги MOSFET низкого напряжения
Мы стремимся предоставить высококачественную техническую поддержку и услуги для наших низковольтных продуктов MOSFET.Наша команда опытных инженеров и техников готова ответить на ваши вопросы и помочь вам найти наилучшие решения для ваших приложений.
Мы предлагаем широкий спектр услуг, в том числе:
- Всеобъемлющая документация на продукт
- Онлайн-техническая поддержка
- Техническая подготовка на месте
- Проектирование и разработка продуктовых приложений
- Услуги по устранению неполадок и ремонту
Наша цель состоит в том, чтобы предоставить вам наилучшую возможную поддержку для ваших низковольтных продуктов MOSFET.
Упаковка и перевозка:
Низковольтные MOSFET поставляются в упаковке, свободной от статики, чтобы обеспечить их качество и производительность.Упаковка должна включать антистатические мешки или другие антистатические материалы, чтобы предотвратить повреждение MOSFET любым статическим электричествомКроме того, упаковка должна быть спроектирована таким образом, чтобы защитить детали от влаги и любого другого ущерба окружающей среде.Все упаковки должны быть четко помечены и содержать подробные инструкции о том, как правильно хранить и обращаться с MOSFET.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос:Как называется низковольтный MOSFET?
А:Торговая марка низковольтного MOSFET - REASUNOS. - Вопрос:Где находится место происхождения низковольтного MOSFET?
А:Место происхождения низковольтного MOSFET - Гуандун, Китайская Народная Республика. - Вопрос:Сколько стоит низковольтный MOSFET?
А:Цена низковольтного MOSFET подтверждается на основе продукта. - Вопрос:Какую упаковку используют для MOSFET низкого напряжения?
А:Низковольтный MOSFET упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки. - Вопрос:Сколько времени требуется для доставки низковольтного MOSFET?
А:Срок доставки низковольтного MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества. - Вопрос:Какие условия оплаты доступны для MOSFET низкого напряжения?
А:Условия оплаты MOSFET низкого напряжения составляют 100% T/T заранее (EXW). - Вопрос:Сколько низковольтных MOSFET можно поставлять в месяц?
А:Возможность поставки низковольтного MOSFET составляет 5KK / месяц.
Стабильный 20 В низкомощный P-канал Мосфета, практичный низковольтный высокоточный транзистор
Запрос Корзина
0