2SC5200-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
Номер модели:2SC5200-O (Q)
Место происхождения:JP
Минимальное количество заказов:1 шт.
Условия оплаты:T/T, Western Union
Способность к поставкам:5000
Время доставки:1 день
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 1205-1207, здание Нангуанг, улица Хуафу, район Футиань, Шэньчжэнь, Гуандун, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 1 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
2SC5200-O(Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие
| Тошиба | |
| Категория продукции: | Биполярные транзисторы - BJT |
| RoHS: | Подробная информация |
| Через дыру | |
| TO-3P-3 | |
| НПН | |
| Одинокий | |
| 230 В | |
| 230 В | |
| 5 В | |
| 400 мВ | |
| 15 А | |
| 150 Вт | |
| 30 МГц | |
| - | |
| + 150 C | |
| 2СС | |
| Поднос | |
| Марка: | Тошиба |
| Постоянный ток коллектора: | 15 А |
| Сборщик тока/базовая прибыль hfe Min: | 55 |
| Увеличение тока постоянного тока hFE Max: | 160 |
| Высота: | 26 мм |
| Длина: | 20.5 мм |
| Тип продукции: | BJT - биполярные транзисторы |
| Подкатегория: | Транзисторы |
| Технология: | Да, да. |
| Ширина: | 5.2 мм |
| Единичная масса: | 0.239863 унций |
Приложения для усилителей мощности
• Высокое разрывное напряжение: VCEO = 230 V (мин)
• Дополнительная к 2SA1943
• Подходит для использования на выходном этапе 100-Вт высокопроизводительных аудиоусилителей
Спецификации
- Производитель: Toshiba
- Тип транзистора: NPN
- Тип упаковки: TO-3PL
- Максимальное рассеивание мощности: 150 Вт
- Напряжение излучателя коллектора (VCEO): 230 В
- Максимальный ток коллектора: 15A
- Приобретение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Частота: 30 MHz
- Тип установки: через отверстие
- Рабочая температура: 150°C TJ
- Статус части: устаревший
2SC5200-O ((Q) Биполярный (BJT) транзистор NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W через отверстие TO-3P ((L)
Запрос Корзина
0