SPP04N60C3HKSA1
Категория:Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:-
Vgs(th) (Max) @ Id:3.9В @ 200μA
Операционная температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:TO-220-3
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:25 nC @ 10 v
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Bao Yun Da R&D Comprehensive Building, Qianjin 2nd Road, Xixiang Street, Bao'an District, Shenzhen (Строительство комплекса исследований и разработок Бао Юн Да, улица Сисянь, район Баоань, Шэньчжэнь)
последний раз поставщика входа:
в рамках 36 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) через отверстие PG-TO220-3-1
SPP04N60C3HKSA1
Запрос Корзина
0