V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Выпрямитель Шоттки
Номер модели:V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Количество минимального заказа:1 часть
Условия оплаты:T/T
Срок поставки:2~8 трудодней
Бренд:Полупроводник Vishay общий
Сертификат:/
контакт
Add to Cart
Активный участник
Guangzhou Guangdong China
Адрес:
Комната 2201-03, комната 2206, Changfeng международное 1, номер 96, дорога но. 12 Lixin, район Zengcheng, город Гуанчжоу, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 47 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Характер продукции
Полупроводник TMBS V20PWM45 Vishay вскапывает барьер Schottk MOS
Плотность TMBS полупроводника V20PWM45 V20PWM45C-My Rectifier3/I Vishay сильнотоковая вскапывает продукты полупроводника выпрямителя тока DPAK Schottky барьера MOS дискретные
V20PWM45: Сильнотоковый выпрямитель тока Поверхност-держателя TMBS®
плотности (барьера Schottky MOS канавы) ультра низкий VF = 0,35 v
на ЕСЛИ = 5 a
Выпрямитель тока Поверхност-держателя TMBS® плотности V20PWM45C сильнотоковый (барьера Schottky MOS канавы) ультра низкий VF =
0,39 v на ЕСЛИ = 5 a
ПРИМЕНЕНИЯ
Для пользы в конвертерах низшего напряжения высокочастотных DC/DC,
вольные диоды, и применения предохранения от полярности
ОСОБЕННОСТИ
• Очень низкопрофильный - типичная высота 1,3 mm
• Технология MOS Schottky канавы
• Идеал для автоматизированного размещения
• Низкое падение пропускного напряжения, потери низкой мощности
• Деятельность высокой эффективности
• Уровень 1 встреч MSL, в J-STD-020,
ЕСЛИ максимальный пик °C 260
• AEC-Q101 квалифицировало доступное
- Автомобильный приказывая код: основание P/NHM3
• Материальная категоризация
Описание
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы
обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону
кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура
соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной
повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того
чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор
для пользы в большом разнообразии применений.
Особенности:
Лавина предварительной рабочей температуры На-сопротивления 175°C
технологического прочесса ультра низкой быстрая переключая
повторяющийся позволенная до пастбища Tjmax D-Пак IRLR3915PbF Я-Пак
IRLU3915PbF
Технические данные продукта
Категория | Дискретные продукты полупроводника |
Диоды - выпрямители тока - одиночные | |
Mfr | Полупроводник Vishay общий - разделение диодов |
Серия | Автомобильный, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
Пакет | Лента & вьюрок (TR) |
Состояние части | Активный |
Тип диода | Schottky |
Напряжение тока - обратный DC (Vr) (Макс) | 45 v |
Настоящий - выпрямленное среднее (Io) | 20A |
Напряжение тока - переднее (Vf) (Макс) @ если | 660 mV @ 20 a |
Скорость | Быстрое спасение =< 500ns=""> 200mA (Io) |
Настоящий - обратная утечка @ Vr | µA 700 @ 45 v |
Емкость @ Vr, f | 3100pF @ 4V, 1MHz |
Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
Пакет/случай | TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63 |
Пакет прибора поставщика | SlimDPAK |
Рабочая температура - соединение | -40°C | 175°C |
Низкопробный номер продукта | V20PWM45 |
| Номер детали | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Низкопробный номер детали | V20PWM45C-M3/I |
| ЕС RoHS | Уступчивый с освобождением |
| ECCN (США) | EAR99 |
| Состояние части | Активный |
| HTS | 8541.29.00.95 |
V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Выпрямитель Шоттки
Запрос Корзина
0