

Add to Cart
Характер продукции
N-канал 180A 200W транзисторов IRF1404ZPBF через MOSFETs FETs отверстия TO-220AB HEXFET
N-канал 180A (Tc) 200W (Tc) через спецификацию отверстия TO-220AB:
Категория | Дискретные продукты полупроводника |
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные | |
Mfr | Технологии Infineon |
Серия | HEXFET® |
Пакет | Трубка |
Тип FET | N-канал |
Технология | MOSFET (металлическая окись) |
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 40 v |
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 180A (Tc) |
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds
дальше) | 10V |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
Id Vgs (th) (Макс) @ | 4V @ 250µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 150 nC @ 10 v |
Vgs (Макс) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 4340 pF @ 25 v |
Особенность FET | - |
Диссипация силы (Макс) | 200W (Tc) |
Рабочая температура | -55°C | 175°C (TJ) |
Устанавливать тип | Через отверстие |
Пакет прибора поставщика | TO-220AB |
Пакет/случай | TO-220-3 |
Низкопробный номер продукта | IRF1404 |
Описание
Этот MOSFET силы HEXFET® использует самые последние методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния.
Дополнительные особенности этого продукта рабочая температура соединения 175°C, быстро переключая скорости и улучшенной повторяющийся оценки лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим дизайном весьма эффективный и надежный прибор для пользы в большом разнообразии применений.