Операция в фотодиоде на базе UV-UVV-LW InGaN в фотоэлектрическом режиме
Номер модели:GT-UVV-LW
место происхождения:Китай
Минимальное количество заказов:1
Условия оплаты:L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность к поставкам:2000 шт/месяц
Срок поставки:дни 3-5work
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 3306АБ, 33 этаж, SEG Plaza, северная улица Хуацзян, район Футиань, провинция Гуандун Шэньчжэнь 518028
последний раз поставщика входа:
в рамках 26 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Описание продукта:
Операция в фотодиоде на базе UV-UVV-LW InGaN в фотоэлектрическом режиме
Особенности:
Общие характеристики: l Материал на основе нитрида галлия и индия
L Работа в фотоэлектрическом режиме
Металлический корпус I TO-46
I Высокая чувствительность и низкий темный ток
Приложения: УФ-ЛЕД-мониторинг, измерение дозы УФ-излучения, УФ-очищение
Параметры Символ Значение единицы Максимальные рейтинги
Диапазон температуры работы Topt -25-85 oC
Температурный диапазон хранения Tto -40-85 oC
Температура сварки (3 с) Tsol 260 oC
Обратное напряжение Vr-max -10 V
Общие характеристики (25 oC) Размер микросхемы A 1 мм2 Темный ток (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Температурный коэффициент Tc 0,05 %/ oC Конденсация (при 0 V и 1 MHz) Cp 60 p>
Спецификации:
| Спецификации | Параметры |
| Пиковая длина волны | 390 нм |
| Чувствительность к свету | 0.289A/W |
| Диапазон спектрального ответа (R=0,1×Rmax) | - 290-440 нм |
| Соотношение отторжения ультрафиолетового излучения (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
Операция в фотодиоде на базе UV-UVV-LW InGaN в фотоэлектрическом режиме
Запрос Корзина
0