PD 1.3W Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF канала IRLML6401 n
Номер модели:IRLML6401TRPBF
Количество минимального заказа:discussible
Условия оплаты:L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки:10000 ПК в месяц
Срок поставки:дни 1-7Work
Упаковывая детали:первоначальный
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
B615, здание Niulanqian, бульвар Minzhi, район Longhua, город Шэньчжэня, провинция Гуандун, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 12 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF N-канала IRLML6401
Продукты Описание:
MOSFET; Сила; P-Ch; VDSS -12V; RDS (ДАЛЬШЕ) 0.05Ohm; ID -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin микро- T/R Trans
Транзистор: P-MOSFET; униполярный; уровень логики; -12V; -4.3A;
1.3W
Эти MOSFETs P-канала от международного выпрямителя тока используют
advancedprocessing методы для того чтобы достигнуть весьма -
низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество,
совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным
devicedesign что MOSFETs силы HEXFET® известный для, обеспечивает
thedesigner с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в
управлении andload батареи. Термально увеличенное большое leadframe
пусковой площадки было включено в пакет thestandard SOT-23 для
произведения MOSFET силы HEXFET со следом ноги theindustry самым
небольшим. Этот прозванный пакет, Micro3™, идеальные
forapplications где космос платы с печатным монтажом на награде.
Низкопрофильный (<1>
Технологические параметры:
| Напряжение тока порога | 550 mV |
| входная емкость | 830 pF |
| Расклассифицированная сила | 1,3 w |
| полярность | P-канал |
| Метод установки | Поверхностный держатель |
| секретный номер | 3 |
| пакет | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -55℃ | 150℃ (TJ) |
| Упаковка | Лента & вьюрок (TR) |
| Изготовляя применения | Переключатели DC |
PD 1.3W Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF канала IRLML6401 n
Запрос Корзина
0