китай категории
Русский язык

Обломок MT62F2G32D4DS-023 FAAT IC: B 64Gbit SDRAM - мобильная память IC 200-WFBGA

Номер модели:MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B
Место происхождения:CN
Количество минимального заказа:10
Условия оплаты:T/T, L/C, западное соединение
Срок поставки:5-8 дней работы
Упаковывая детали:200-WFBGA
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес: Дорога Zhenzhong здания 1239 новая Азия Guoli., район Шэньчжэнь Китай Futian
последний раз поставщика входа: в рамках 34 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

IC Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B 64Gbit SDRAM - Мобильная память IC 200-WFBGA

 

Описание продуктаМТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

MT62F2G32D4DS-023 DRAM FAAT:B позволяет смартфонам 5G обрабатывать данные с максимальной скоростью до 6,4 Гбит / с. Это имеет решающее значение для предотвращения узких мест передачи данных 5G.

 

СпецификацияМТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

Номер части

МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

Интерфейс памяти

Параллельно

Частота работы часов

4.266 ГГц

Напряжение - питание

1.05В

Тип установки

Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан

200-WFBGA


ОсобенностиИз МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

  • Включает функции следующего поколения, доступные на смартфоне edge+

  • Более 20% энергоэффективности по сравнению с LPDDR4, что позволяет флагманским смартфонам работать дольше между зарядками

 

Другие электронные компоненты на складе

Номер части

Пакет

HMC232LP4

QFN24

BQ24262RGER

QFN24

MAX7375AXR105

SOT-323

R33MF5

DIP7

HMC232ALP4ETR

QFN-24

IPB025N10N3G

ТО263-7

 

Частые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.
 
 

China Обломок MT62F2G32D4DS-023 FAAT IC: B 64Gbit SDRAM - мобильная память IC 200-WFBGA supplier

Обломок MT62F2G32D4DS-023 FAAT IC: B 64Gbit SDRAM - мобильная память IC 200-WFBGA

Запрос Корзина 0