китай категории
Русский язык

Чип интегральной схемы A623308M-70SF 8K X 8 BIT CMOS SRAM память IC

Номер модели:A623308M-70SF
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:7000pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Серия A623308

8K X 8 BIT CMOS SRAM


Особенности

• Внешнее рабочее напряжение: от 4,5 до 5,5 В

• Время доступа: 70 нс (максимум)

• Текущий:

Серия A623308-S: Рабочая мощность: 35mA (макс.)

В режиме ожидания: 10mA (максимум)

Серия A623308-SI/SU: Рабочая мощность: 35mA (макс.)

В режиме ожидания: 15mA (максимум)


Общее описание

A623308 представляет собой 65536-битную статическую память с низким рабочим током, организованную в 8192 слова на 8 бит и работающую на одном источнике питания 5 В.Входы и выходы с тремя состояниями совместимы с TTL и позволяют напрямую взаимодействовать с общими структурами системной шины..


• Расширенный диапазон температур работы: от 0 до 70 °C для серии -S, от -25 до 85 °C для серии -SI, от -40 до 85 °C для серии -SU.

• Полная статическая работа, без необходимости часов или обновления

• Все входы и выходы непосредственно совместимы с TTL

• Общий I/O с использованием вывода трех состояний

• Напряжение хранения данных: 2,0 В (минимум)

• Доступно в 28-конечных пакетах SOP и TSOP (первый тип)


Минимальная мощность в режиме ожидания используется этим устройством, когда CE находится на высоком уровне, независимо от других уровней ввода.


Конфигурации пин


Диаграмма блоков


Абсолютные максимальные рейтинги*

VCCк ГНД. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0,5V до +7,0V

Включение, Включение/Выключение Вольт к ГНД. . . . . . . . . -0,5 В до VCC+ 0,5В

Операционная температура,

Топр. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C до +70°C или -40°C до +85°C

Температура хранения, Tstg. . . . . . . . . -55°C до +125°C

Рассеивание энергии, ПT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 Вт

Температура и время сварки. . . . . . . . . . . . . 260°C, 10 секунд


*Замечания

Нагрузки, превышающие указанные в разделе "Абсолютные максимальные значения", могут привести к постоянному повреждению устройства. Functional operation of this device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied and exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.


Предложение акций (горячая продажа)

Часть No.КоличествоБрендD/CПакет
SN74LVC2G14DBVR6000ТИ15+SOT23-6
SN74LVC2G241DCUR23415ТИ14+VSSOP-8
SN74LVC2G66DCUR104000ТИ16+VSSOP-8
SN74LVC2T45DCTR18303ТИ13+SSOP-8
SN74LVC32ADR97000ТИ15+SOP-14
SN74LVC4245ADWR7399ТИ16+SOP-24
SN74LVCH16245ADGGR16386ТИ16+TSSOP-48
SN74LVT244BPWR67000ТИ16+TSSOP-20
SN74LVTH245ADWR6888ТИ12+SOP-20
SN74LVTH273DWRG412568ТИ04+SOP7.2MM
Сноска.16457ТИ06+SOP-8
Сноска5460ТИ13+DIP-14
Сноска.5775ТИ11+SOP-16
SN75HVD10DR5746ТИ06+SOP-8
SN75LBC184DR10414ТИ16+SOP-8
SP0503BAHTG65000Литтлфус15+SOT-143
SP0504BAHTG10000Литтлфус16+SOT23-5
SP2574NUTG7370Литтлфус14+QFN
SP3077EEN6872SIPEX13+SOP-8
SP3203ECY-L/TR8452SIPEX07+TSSOP-20
SP3232ECT5717SIPEX16+SOP-16
SP3232EEN88000EXAR16+SOP-16
SP509CF-L3176EXAR11+TQFP100
SPA07N60C3781416+TO-220F
SPA20N60C3342715+TO-220F
SPC 5606SF2VLQ6R4209ФРЕСКАЛЬ12+TQFP
SPF5043Z3720РФМД14+SOT-343
SPM6530T-2R2M7314TDK16+СМД
SPP11N80C3369116+TO-220
SPU18P06P1063509+TO-251

China Чип интегральной схемы A623308M-70SF 8K X 8 BIT CMOS SRAM память IC supplier

Чип интегральной схемы A623308M-70SF 8K X 8 BIT CMOS SRAM память IC

Запрос Корзина 0