китай категории
Русский язык

RA35H1516M Комплексные микросхемы 154-162MHz 40W 12.5V

Номер модели:RA35H1516M
Место происхождения:первоначальный
Количество минимального заказа:50pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:5200PCS
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

RA35H1516M 154-162MHz 40W 12,5V Мобильные радио и телевизоры


Описание

RA35H1516M - это 40-ваттный модуль усилителя RF MOSFET для 12,5-вольтных мобильных радиоприемников, работающих в диапазоне от 154 до 162 МГц.


Аккумулятор может быть подключен непосредственно к отводу транзисторов MOSFET с режимом усиления.только небольшая утечка течения течет в слив и RF входный сигнал ослабляет до 60 дБ. Выходная мощность и отводный ток увеличиваются по мере увеличения напряжения входа. При напряжении входа около 4В (минимальный), выходная мощность и отводный ток значительно увеличиваются.Номинальная выходная мощность становится доступной при 4.5В (типичный) и 5В (максимальный). При VGG=5В типичный ток шлюза составляет 1 мА.


Этот модуль предназначен для нелинейной FM-модуляции,но может также использоваться для линейной модуляции путем установки отвода тихоокеанского тока с напряжением входа и управления выходной мощностью с входной мощностью.


СТРАНИЦЫ

• Транзисторы MOSFET с режимом усиления (IDD@0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

• мощность>40 Вт, hT>50% @ VDD=12,5 Вт, VGG=5 Вт, Pin=50 мВт

• Низкомощный управляющий ток IGG=1mA (типичный) при VGG=5V

• Размер модуля: 66 x 21 x 9,88 мм

• Линейная работа возможна путем настройки тихого тока оттока напряжением шлюза и управления выходной мощностью с помощью входной мощности


Типичная производительность (Tcase=+25°C, ZG=ZL=50W, если не указано иное)


Список запасов

SI4840DY15604Вишай15+SOP-8
SI4850EY12700Вишай16+SOP-8
SI4946EY13800Вишай16+SOP-8
SI9433BDY-T1-E39114Вишай16+SOP-8
SI9933BDY-T1-E37530Вишай16+SOP-8
W25Q128FVSIG22196WINBOND16+SOP-8
W25Q32FVSSIG15428WINBOND16+SOP-8
W25Q64FVSSIG15364WINBOND16+SOP-8
W25Q80BVSNIG7772WINBOND13+SOP-8
W25Q80DVSSIG14270WINBOND15+SOP-8
W25X40BVSSIG9482WINBOND16+SOP-8
W25X40CLSNIG14360WINBOND14+SOP-8
WS281115500СВЕТСТВО16+SOP-8
VN800S6196СТ16+SOP-8
VNS1NV04D13344СТ08+SOP-8
VNS1NV04DPTR-E30540СТ16+SOP-8
VNS1NV04DTR3244СТ10+SOP-8
VNS1NV04DTR-E14438СТ16+SOP-8
TCS3200D-TR2669TAOS16+SOP-8
U893BSE27012TFK05+SOP-8
REF02AU3242ТИ16+SOP-8
REF02BU1919ТИ11+SOP-8
REF102AU2477ТИ14+SOP-8
REF102BU2381ТИ16+SOP-8
REF200AU1739ТИ13+SOP-8
REF200AU/2K51628ТИ11+SOP-8
REF5030AIDR1613ТИ14+SOP-8
REF5040IDR1427ТИ14+SOP-8
REF5050AIDR9738ТИ11+SOP-8
REF5050IDR1868ТИ15+SOP-8
SE555DR10676ТИ13+SOP-8
Сноска.2999ТИ14+SOP-8
Сноска.14484ТИ13+SOP-8
Сноска.3528ТИ16+SOP-8

China RA35H1516M Комплексные микросхемы 154-162MHz 40W 12.5V supplier

RA35H1516M Комплексные микросхемы 154-162MHz 40W 12.5V

Запрос Корзина 0