китай категории
Русский язык

DAC8412FPC Quad интегральная микросхема, интегрированный интегрированный запрограммированный полупроводник

Номер модели:DAC8412FPC
Место происхождения:первоначальный
Количество минимального заказа:5pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:290PCS
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

DAC8412FPC Четырехканальный 12-разрядный ЦАП с выходным напряжением и обратным считыванием

встроенный полупроводниковый запрограммированный встроенный


ФУНКЦИИ

от +5 В до 15 В Работа

Униполярная или биполярная операция

Выход истинного напряжения

Входы с двойной буферизацией

Сброс на минимальную (DAC8413) или центральную шкалу (DAC8412) Доступ к быстрой шине

Обратное чтение времени


ПРИЛОЖЕНИЯ

Автоматическое испытательное оборудование Калибровка с цифровым управлением Сервоуправление Оборудование управления технологическим процессом


ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

DAC8412 и DAC8413 — это четырехканальные ЦАП с 12-разрядным выходным напряжением и возможностью обратного считывания.Созданные с использованием комплементарного процесса BiCMOS, эти монолитные ЦАП предлагают пользователю очень высокую плотность упаковки.


Размах выходного напряжения задается двумя опорными входами VREFH и VREFL.Установив вход VREFL на 0 В, а VREFH на положительное напряжение, ЦАП обеспечит однополярный положительный выходной диапазон.Аналогичная конфигурация с VREFH при 0 В и VREFL при отрицательном напряжении обеспечит однополярный отрицательный выходной диапазон.Биполярные выходы настраиваются подключением VREFH и VREFL к ненулевым напряжениям.Этот метод установки диапазона выходного напряжения имеет преимущества перед другими биполярными методами смещения, поскольку он не зависит от внутренних и внешних резисторов с разными температурными коэффициентами.


Цифровые элементы управления позволяют пользователю загружать или считывать данные с любого ЦАП, загружать любой ЦАП и передавать данные на все ЦАП одновременно.Активный низкий уровень RESET загружает все выходные регистры ЦАП в среднее значение для DAC8412 и нулевое значение для DAC8413.


DAC8412/DAC8413 доступны в 28-выводных пластиковых корпусах DIP, PLCC и LCC.Они могут работать от самых разных источников питания и опорных напряжений с диапазоном питания от одиночного +5 В до ±15 В и опорного напряжения от +2,5 В до ±10 В. Рассеиваемая мощность составляет менее 330 мВт при питании ±15 В и всего 60 мВт при питании +5 В.


Для приложений MIL-STD-883 обратитесь в местное торговое представительство ADI за техническим паспортом DAC8412/DAC8413/883, в котором указана работа в диапазоне температур от –55°C до +125°C.Все детали 883 также доступны на стандартных военных чертежах от 5962-91 от 76401MXA до 76404M3A.


СПИСОК АКЦИЙ

NFM21PC475B1A3D38000Мурата16+поверхностный слой
НКП21СВ223ДЖ03РА25000Мурата12+поверхностный слой
NSBC114EDXV6T1G40000НА16+СОТ
NFM21PC104R1E3D40000Мурата16+поверхностный слой
МИ0805М221Р-1024000СТЮАРД16+поверхностный слой
НФЛ21SP106X1C3D10000Мурата16+поверхностный слой
ММЗ2012С102АТ00020000ТДК16+поверхностный слой
NCP18WB473J03RB25000Мурата16+поверхностный слой
NFM18CC222R1C3D40000Мурата16+поверхностный слой
ММЗ2012Р601АТ00028000ТДК16+поверхностный слой
AT24C04BN-SH-T8000АТМЕЛЬ15+СОП-8
МИКРОСМД110Ф-240000ТИКО16+поверхностный слой
MPZ2012S601AT20000ТДК16+поверхностный слой
LQM21FN1R0N00D20000Мурата16+поверхностный слой
NFM21CC223R1H3D40000Мурата16+поверхностный слой
NRF24L01P-R3900Скандинавский13+КФН
LQW18AN12NG00D20000Мурата16+поверхностный слой
ЛСТ-С270КГКТ25000ЛИТЕОН16+поверхностный слой
МПЗ1608С601АТА0028000ТДК16+поверхностный слой
МИ0603ДЖ600Р-1028000СТЮАРД13+поверхностный слой
NFM18PS105R0J3D40000Мурата16+поверхностный слой
NRF24L01P3860Скандинавский16+КФН
LQW18AN22NJ00D25000Мурата16+поверхностный слой
1N5365BRLG9000НА15+ДЕЛО 17
1N5344BRLG9000НА15+ДЕЛО 17
1СС38712000ТОШИБА15+СОД-523
ГРМ31КР60ДЖ226КЭ19Л8000Мурата15+поверхностный слой
БЛМ21АГ151СН1Д8000Мурата16+поверхностный слой
1206L020YR9000ЛИТТЕЛЬФУС13+поверхностный слой
БЛМ21АГ601СН1Д8000Мурата13+поверхностный слой
БК2125ХМ102-Т4000ТАЙО15+поверхностный слой
AP3845GMTR-E14000BCD13+СОП-8
БЛМ18ПГ121СН1Д8000Мурата15+поверхностный слой
БЛМ18ХГ102СН1Д8000Мурата16+поверхностный слой
БЛМ18ЭГ101ТН1Д8000Мурата14+поверхностный слой
ХЗ0805Г471Р-104000СТЮАРД16+поверхностный слой
IRF7424TRPBF1500ИК13+СОП-8
БЛМ18ББ470СН1Д8000Мурата13+поверхностный слой
1206L075TH9000ЛИТТЕЛЬФУС15+поверхностный слой
БЛМ11А121СПТМ00-038000Мурата15+поверхностный слой
NFL18ST207X1C3D30000Мурата16+поверхностный слой
NFM18PC104R1C3D40000Мурата16+поверхностный слой
1210L050YR16000ЛИТТЕЛЬФУС15+поверхностный слой
МЛЗ2012A1R0MT0040000ТДК10+поверхностный слой
БЛМ21ПГ300СН1Д8000Мурата15+поверхностный слой
МЛФ1608ДР39КТА0024000ТДК16+поверхностный слой
IRF7416TR1500ИК16+СОП-8
HSMH-C1701520АВАГО16+поверхностный слой
ГСМГ-С1701520АВАГО15+поверхностный слой
БЛМ21ПГ221СН1Д8000Мурата16+поверхностный слой
1206L025YR9000ЛИТТЕЛЬФУС14+поверхностный слой
БЛМ18ПГ300СН1Д8000Мурата16+поверхностный слой
БЛМ18АГ221СН1Д8000Мурата16+поверхностный слой
HSMG-C1901520АВАГО15+поверхностный слой
HSMH-C1901520АВАГО13+поверхностный слой
NFM21CC101U1H3D38000Мурата16+поверхностный слой
China DAC8412FPC Quad интегральная микросхема, интегрированный интегрированный запрограммированный полупроводник supplier

DAC8412FPC Quad интегральная микросхема, интегрированный интегрированный запрограммированный полупроводник

Запрос Корзина 0