

Add to Cart
ФУНКЦИИ
• Тракт данных с высокой пропускной способностью (до 500 МГц (1))
• Ввод/вывод, устойчивый к 5 В, при включенном или выключенном устройстве
• Низкое и плоское сопротивление во включенном состоянии (r вкл.) Характеристики в рабочем диапазоне (r вкл = 4 Ом тип.)
• Переключение Rail-to-Rail на портах ввода/вывода данных Переключение 0–5 В с 3,3-В VCC – Переключение 0–3,3 В с 2,5-VV Operation CC
• Двунаправленный поток данных с почти нулевой задержкой распространения
• Низкая входная/выходная емкость сводит к минимуму искажения нагрузки и сигнала (Cio(OFF) = 3,5 пФ тип.)
• Быстрая частота переключения (f OE = макс. 20 МГц)
ОПИСАНИЕ/ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
SN74CB3Q3257 представляет собой широкополосный шинный переключатель на полевых транзисторах, использующий зарядовый насос для повышения напряжения затвора проходного транзистора, обеспечивая низкое и плоское сопротивление в открытом состоянии (r on).Низкое и плоское сопротивление во включенном состоянии обеспечивает минимальную задержку распространения и поддерживает переключение между шинами на портах ввода/вывода данных (I/O).Устройство также отличается малой емкостью ввода/вывода данных, чтобы свести к минимуму емкостную нагрузку и искажение сигнала на шине данных.Специально разработанный для поддержки приложений с высокой пропускной способностью, SN74CB3Q3257 обеспечивает оптимизированное интерфейсное решение, идеально подходящее для широкополосной связи, сетей и вычислительных систем с интенсивным использованием данных.
SN74CB3Q3257 — это 4-разрядный высокоскоростной мультиплексор/демультиплексор на полевых транзисторах 1 из 2 с одним входом разрешения выхода (OE).Вход select (S) управляет путем передачи данных мультиплексора/демультиплексора.Когда уровень OE низкий, включается мультиплексор/демультиплексор, и порт A подключается к порту B, обеспечивая двунаправленный поток данных между портами.Когда OE имеет высокий уровень, мультиплексор/демультиплексор отключен, и между портами A и B существует состояние высокого импеданса.
Это устройство полностью предназначено для приложений с частичным отключением питания, использующих I off .Схема I off предотвращает обратное протекание повреждающего тока через устройство, когда оно отключено.Устройство имеет изоляцию во время отключения питания.
Для обеспечения высокоимпедансного состояния при включении или выключении питания OE должен быть подключен к VCC через подтягивающий резистор;минимальное значение резистора определяется токоотводящей способностью драйвера.
Абсолютные максимальные значения
выше рабочего диапазона температур наружного воздуха (если не указано иное)
ЕДИНИЦА | ||
Диапазон напряжения питания VCC | 0,5 4,6 | В |
VIN Диапазон входного напряжения управления(2)(3) | 0,5 7 | В |
Переключение диапазона напряжения ввода/вывода(2)(3)(4) | –0,5 7 | В |
Ток зажима управляющего входа VIN < 0 | –50 | мА |
ток зажима порта VI/O < 0 | –50 | мА |
Ток переключения во включенном состоянии | ±64 | мА |
Непрерывный ток через VCC или GND | ±100 | мА |
Диапазон температур хранения | –65 150 | °С |
СПИСОК АКЦИЙ
19-217/S2C-FM2P1VY/3T | 6000 | ВЕЧНЫЙ СВЕТ | НОВЫЙ | поверхностный слой |
1Б22АН | 6000 | ОБЪЯВЛЕНИЕ | НОВЫЙ | ОКУНАТЬ |
1N4758A-ТАП | 10000 | ВИШАЙ | НОВЫЙ | ДО-41 |
1Н4936ГП-Э3/73 | 6000 | ВИШАЙ | НОВЫЙ | ДО-41 |
1N5062 | 5000 | PHI | НОВЫЙ | СОД-57 |
1Н5062-Э3/73 | 8000 | ВИШАЙ | НОВЫЙ | ДО-15 |
1N5359BRLG | 8000 | НА | НОВЫЙ | ДЕЛО 17 |
1Н5401РЛГ | 8000 | НА | НОВЫЙ | ДО-201 |
1Н5819ХВ-7-Ф | 9000 | ДИОДЫ | НОВЫЙ | СОД-123 |
1Н5821РЛГ | 7500 | НА | НОВЫЙ | ДО-201 |
1Н914БТР | 10000 | ЛПС | НОВЫЙ | ДО-35 |
1SMA5923BT3G | 10000 | НА | НОВЫЙ | ДО-214 |
1SMB5930BT3G | 5000 | НА | НОВЫЙ | малый и средний бизнес |
1SMB5956BT3G | 5000 | НА | НОВЫЙ | малый и средний бизнес |
2016L030DR | 7500 | ЛИТТЕЛЬФУС | НОВЫЙ | поверхностный слой |
20279-001Э-01 | 7500 | I-PEX | НОВЫЙ | поверхностный слой |
20CL36 | 5000 | ФЭЙРЧАЙЛД | НОВЫЙ | ТО-263 |
23LC1024-I/SN | 5000 | МИКРОЧИП | НОВЫЙ | СОП8 |
2450АТ18Б100Э | 5000 | ЙОХАНСОН | НОВЫЙ | поверхностный слой |
2450БМ15А0002Э | 5000 | ЙОХАНСОН | НОВЫЙ | поверхностный слой |