китай категории
Русский язык

M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

Номер модели:M29W640FB
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:8400pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

M29W640FB Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок) 3 В питание флэш-памяти


Обзор функций

• Напряжение питания

- ВCC= от 2,7 В до 3,6 В для программ, стирания, чтения

- ВПП=12 В для быстрой программы (дополнительно)

• Асинхронное случайное чтение/чтение страницы

- Ширина страницы: 4 слова

– Доступ к странице: 25 нс

– Произвольный доступ: 60 нс, 70 нс

• Время программирования

– 10 мкс на байт/слово, тип.

– Программа 4 слова/8 байт

• 135 блоков памяти

– 1 загрузочный блок и 7 блоков параметров по 8 КБ каждый (верхнее или нижнее расположение)

– 127 основных блоков по 64 КБ каждый

• Контроллер программирования/стирания

– Встроенные алгоритмы Byte/Word Program

• Программирование/удаление приостановки и возобновления

– Чтение из любого блока во время приостановки программы

- Чтение и программирование другого блока во время приостановки стирания

• Команда разблокировки программы обхода

– Более быстрое производство/пакетное программирование

• ВППВывод /WP для быстрой программы и защиты от записи

• Режим временного снятия защиты с блокировки

• Общий интерфейс флэш-памяти

– 64-битный код безопасности

• Блок расширенной памяти

– Дополнительный блок, используемый в качестве блока безопасности или для хранения дополнительной информации

• Низкое энергопотребление

– Режим ожидания и автоматический режим ожидания

• 100 000 циклов программирования/стирания на блок

• Электронная подпись

– Код производителя: 0020h


Максимальный рейтинг

Нагрузка на устройство выше номинала, указанного в таблице абсолютных максимальных значений, может привести к необратимому повреждению устройства.Воздействие условий абсолютного максимального рейтинга в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.Это только номинальные нагрузки, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в разделах «Эксплуатация» данной спецификации, не подразумевается.См. также программу STMicroelectronics SURE и другие соответствующие документы по качеству.


Абсолютные максимальные значения

СимволПараметрМин.МаксЕдиница
ТПРЕДВЗЯТОСТЬТемпература при смещении–50125°С
ТСТГТемпература хранения-65150°С
ВИОВходное или выходное напряжение(1)(2)–0,6ВCC+0,6В
ВCCНапряжение питания–0,64В
ВИДЕНТИФИКАТОРИдентификационное напряжение–0,613,5В
ВПП (3)Напряжение программы–0,613,5В

1. Минимальное напряжение может опускаться до –2 В во время перехода и менее 20 нс во время переходов.

2. Максимальное напряжение может превысить VCC +2 В во время перехода и менее чем за 20 нс во время перехода.

3. ВППне должен оставаться под напряжением 12 В более 80 часов.


Пакеты


Логическая схема


TSOP-соединения


Соединения TFBGA48(Вид сверху через упаковку)


China M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память supplier

M29W640FB70N6E Микросхемы для программирования 64 Мбит (8 МБ x8 или 4 МБ x16, страница, загрузочный блок), 3 В питания, флэш-память

Запрос Корзина 0