TAS5614LADDVR Программирование IC чипа Интегральная микросхема Память программы чипа
Номер модели:TAS5614LADDVR
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:2000pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:74000PCS
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
150-Вт стерео / 300-Вт моно PurePath™ HD Digital-Input Class-D Power Stage
Функции
• Встроенная обратная связь PurePath™ HD обеспечивает:
– 0,03% THD при 1 Вт на 4 Ом
– >65 дБ PSRR (отсутствие входного сигнала)
– >105 дБ (взвешенное) SNR
• Выход с предварительным ограничением для управления источником питания класса G
• Уменьшенный размер радиатора благодаря использованию 60 мОм
Выходной МОП-транзистор с КПД >90% при полной нагрузке
Выходная мощность
• Выходная мощность при 10% THD+N
– 150 Вт / 4 Ом BTL стерео конфигурация
– 300 Вт / 2 Ом в конфигурации PBTL Mono
• Выходная мощность при 1%THD+N
– 125 Вт / 4 Ом BTL стерео конфигурация
– 65 Вт / 8 Ом BTL стерео конфигурация
ПРИЛОЖЕНИЯ
• Blu-ray™/DVD-ресиверы
• Звуковые панели высокой мощности
• Активный сабвуфер и активные динамики
• Мини комбинированные системы
| АБСОЛЮТНО МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ(1) |
VDD к GND, GVDD_X(2) к GND от –0,3 до 13,2 В PVDD_X(2) на GND(3), OUT_X на GND(3), BST_X на GVDD_X(2)(3) от –0,3
до 50 В BST_X на GND(3)(4) от –0,3 до 62,5 В DVDD на GND от –0,3 до 4,2 В AVDD к GND от –0,3 до 8,5 В OC_ADJ, M1, M2, M3, C_START, INPUT_X на GND от –0,3 до 4,2 В RESET, FAULT, OTW, CLIP, на GND от –0,3 до 4,2 В Максимальный непрерывный потребляемый ток (FAULT, OTW, CLIP) 9 мА Максимальный диапазон рабочих температур спая, ТДж от 0 до 150 °С Температура хранения, Тстг от –40 до 150 °С Температура свинца 260
°С Модель человеческого тела(4) (все контакты) ±2 кВ Электростатический разряд Модель заряженного устройства(4) (все
контакты) ±500 В |
ЧАСТЬ АКЦИИ
| КИ TPS5450DDAR | ИНДУТОР.100UH SLF7045T-101MR50-PF |
| КИ TPS61041DBVR | АКОПЛАДОР ОТИКО.МОК3021С-ТА1 |
| КИ.AS4C16M16SA-7TCN | КИ L7805CP |
| КИ 74ХК245ДБ, 118 | КИ L6205PD |
| КИ BQ24630RGET | КИ TPS40061PWPR |
| КИ 74HC240D | КРЫШКА 0805 10NF 16В C0805C103M4RAC |
| КИ LH1501BT | КИ ICL7660CBAZ |
| КИ LM5574MT | КИ LM2576SX-5.0 |
| КИ LH1501BAB | КИ GL852G-MNG |
| КИ SN74HC14DR | ДИОД USBLC6-2P6 |
| КРЫШКА 1210 22 мкФ 25 В X5R 10% 12103D226KAT2A | ФУЗИВЕЛ НАНОСМДЦ050Ф/13.2-2 |
| ДИОД SL44-E3/57T | КИ MCP602-E/SN |
| CAP 0603 1 мкФ, 25 В, X5R, 20% 06033D105MAT2A | ТРАНС MJD122T4G |
| ДИОД STTH802B-TR | КОЛПАЧОК 4,7 мкФ 10 В X5R 10% CL21A475KPFNNNE |
| ДИОД SMP100LC-140 | КОЛПАЧОК CL21B105KOFNNNE 1UF |
| ТРАНСФЕР FQB7N60TM | КИ SST25VF016B-50-4I-S2AF |
| ДИОД HFA08TB60PBF | АКОПЛАДОР ОТИКО.17-3 китайских юаня |
| КИ LH1500AAB | КРЫШКА 0805 100NF 16В C0805C104M4RAC |
| ПЕР.SI7846DP-T1-E3 | ДИОД MBRS2040LT3 |
| КОЛПАК CER 10UF 16V X5R 0805YD106KAT2A | КЕПКА TANTALO 22UF 16V 10% TAJB226K016RNJ |
| МКП130Т-315И/ТТ | CAP 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T |
| КИ SN74LS244N | CAP 0805 4,7 мкФ 6,3 В X5R C0805C475M9PACTU |
| Симистор BT137-600E | БК848Б, 215 |
| KTY11-6 Q62705-K246 | КИ LM2936Z-5,0 Не 53ab6z-5 |
| КИ P8255A5 | КИ LM393DR |
| ФОТОДАТЧИК 2СС52М | ТРАНС MJF122G |
| КИ CD14538BE | ОПТОАКОПЛАДОР SFH6206-2T |
| РЕС 1206 0R82 1% RL1206FR-070R82L | ОПТОАКОПЛАДОР MOC3061SM |
| РЕС 1206 1R5 1% RC1206FR-071R5L | ДИОД 1N4007 |
| РЕС 1206 0R68 1% RL1206FR-070R68L | БК848Б, 215 |
TAS5614LADDVR Программирование IC чипа Интегральная микросхема Память программы чипа
Запрос Корзина
0