Монтажная плата транзисторов BCP55 откалывает плоскостное Si поверхностного держателя эпитаксиальное
Номер модели:BCP55
Место происхождения:первоначальный
Количество минимального заказа:5 PCS
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:10000PCS/DAY
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Транзисторы BCP55 отделывают поверхность для того чтобы установить Si-эпитаксиальное плоскостное
Диссипация силы – Verlustleistung 1,3 w
Пластиковый случай SOT-223
Kunststoffgehäuse
Веса CA. Gewicht приблизительно – 0,04 g
Пластиковый материал имеет классификацию 94V-0 UL
Klassifiziert Gehäusematerial UL94V-0
Стандартная намотанная упаковка связанная тесьмой и
Стандартный auf Rolle gegurtet Lieferform
Термальное сопротивление – Wärmewiderstand
соединение к окружающему воздушно- umgebender Luft zu Sperrschicht
соединение к паяя пункту – zu Lötpad Sperrschicht
Порекомендованные комплементарные транзисторы PNP
Komplementäre PNP-Transistoren Empfohlene
| BCP 54 | BCP 55 | BCP 56 | ||
BCP 54 | VCE0 | 45 v | 60 v | 80 v |
Сборник-Излучател-напряжение тока b открытое | VCB0 | 45 v | 60 v | 100 v |
Сборник-Основани-напряжение тока e открытое | VEB0 | 5V | ||
| Излучател-Основани-напряжение тока c открытое | Ptot | 1.3W | ||
Монтажная плата транзисторов BCP55 откалывает плоскостное Si поверхностного держателя эпитаксиальное
Запрос Корзина
0