Транзистор Mosfet силы mosfet силы mosfet силы smd IRFB31N20DPBF двойной???????? MOSFET силы HEXFET®
Номер модели:IRFB31N20DPBF
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:8100pcs
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
HEXFET? MOSFET силы
| VDSS | RDS (дальше) максимальный | ID |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
Применения
- ? Высокочастотные конвертеры DC-DC?
- Неэтилированный
Преимущества
- ? Низкие ворота, который нужно стечь для уменьшения переключить потери?
- Полностью, который характеризуют емкость включая эффективное COSS для того чтобы упростить дизайн, (см. 1001)?
- Полностью, который характеризуют напряжение тока и течение лавины
Абсолютный максимум оценок
| Параметр | Максимальный. | Блок | |
| ID @ TC = 25°C | Непрерывное течение стока, VGS @ 10V | 31 | |
| ID @ TC = 100°C | Непрерывное течение стока, VGS @ 10V | 21 | |
| IDM | Пульсированный стеките настоящее | 124 | |
| PD @TA = 25°C | Диссипация силы | 3,1 | W |
| PD @TC = 25°C | Диссипация силы | 200 | W |
| Линейный коэффициент снижения номинальной мощности | 1,3 | W/°C | |
| VGS | Напряжение тока Ворот-к-источника | ± 30 | V |
| dv/dt | Пиковое спасения dv/dt диода | 2,1 | V/ns |
TJ TSTG | Работая соединение и Диапазон температур хранения | -55 до + 175 | °C |
| Паяя температура, на 10 секунд | 300 (1.6mm от случая) | °C | |
| Устанавливающ вращающий момент, 6-32 или srew M3 | 10 lbf•в (1.1N•m) |
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Q'ty | MFG | D/C | Пакет |
| MAX1636EAP-T | 6200 | СЕНТЕНЦИЯ | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | НА | 10+ | TO-220 |
| MJD117-1G | 8000 | НА | 14+ | TO-263 |
| MAX1683EUK+T | 6350 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOT |
| L3G4200D | 2729 | ST | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | TI | 15+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| MAX4214EUK+T | 5968 | СЕНТЕНЦИЯ | 10+ | SOT |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | SOP |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | ATMEL | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | TI | 15+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| PIC18F2520-I/SO | 4598 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOP |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | НА | 15+ | SOP |
| MCP3421AOT-E/CH | 5302 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT |
| MMBFJ108 | 10000 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520-I/PT | 4273 | МИКРОСХЕМА | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550-I/PT | 4438 | МИКРОСХЕМА | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | FREESCALE | 14+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | ЛИНЕЙНЫЙ | 11+ | SOP |
Транзистор Mosfet силы mosfet силы mosfet силы smd IRFB31N20DPBF двойной???????? MOSFET силы HEXFET®
Запрос Корзина
0