китай категории
Русский язык

Модуль mosfet силы MRF9030GNR1 приводит ТРАНЗИСТОРЫ в действие ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ RF транзистора Mosfet

Номер модели:MRF9030
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:7800pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Линия MOSFET субмикрона RF

ТРАНЗИСТОРЫ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ RF

MOSFETs Повышени-режима N-канала боковые


945 MHz, 30 w, 26 MOSFETs СИЛЫ RF N-КАНАЛА БОКОВОЙ ЧАСТИ V ШИРОКОПОЛОСНЫХ


Конструированный для широкополосных коммерчески и промышленных применений с частотами до 1,0 GHz. Высокое увеличение и широкополосное представление этих приборов делают их идеальным для больш-сигнала, применений усилителя общ-источника в оборудовании базовой станции 26 вольт.

• Типичное представление 2-тона на 945 MHz, 26 вольтах

Сила выхода — 30 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО

Увеличение силы — dB 19

Эффективность — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Интегрированное предохранение от ESD

• Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода

• Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 30 CW ватт силы выхода

• Превосходная термическая стабильность

• Охарактеризованный с параметрами импеданса Больш-сигнала серии соответствующими

• В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.


МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

ОценкаСимволЗначениеБлок
Напряжение тока Сток-источникаVDSS68Vdc
Напряжение тока Ворот-источникаVGS– 0,5, +15Vdc

Полная диссипация прибора @ TC = 25°C MRF9030R1

Derate над 25°C

PD

92

0,53

Ватты

W/°C

Полная диссипация прибора @ TC = 25°C MRF9030SR1

Derate над 25°C

PD

117

0,67

Ватты

W/°C

Диапазон температур храненияTstg– 65 до +200°C
Работая температура соединенияTJ200°C

РАЗМЕРЫ ПАКЕТА


Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.Q'tyMFGD/CПакет
BFU710F1500015+SOT-343
PIC16F526-I/SL5193МИКРОСХЕМА16+SOP
LM810M3X-4.6310000NSC15+SOT-23-3
M95020-WMN6TP10000ST16+SOP
M93S46-WMN64686ST10+SOP
MCT6110000FSC16+DIP-8
MAX809LEUR+T10000СЕНТЕНЦИЯ16+SOT
52271-20793653MOLEX15+соединитель
ZVP3306FTA9000ZETEX15+SOT23
MBR10100G15361НА16+TO-220
NTR2101PT1G38000НА16+SOT-23
MBRD640CTT4G17191НА16+TO-252
NTR4501NT1G38000НА15+SOT-23
LM8272MMX1743NSC15+MSOP-8
NDT01410000ФЭЙРЧАЙЛД14+SOT-223
LM5007MM1545NSC14+MSOP-8
NRF24L01+3840НОРДИЧЕСКИЙ10+QFN
MI1210K600R-1030000УПРАВЛЯЮЩИЙ16+SMD
A3144E25000АЛЛЕГРО13+TO-92
MP3V5004DP5784FREESCALE13+SOP

China Модуль mosfet силы MRF9030GNR1 приводит ТРАНЗИСТОРЫ в действие ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ RF транзистора Mosfet supplier

Модуль mosfet силы MRF9030GNR1 приводит ТРАНЗИСТОРЫ в действие ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ RF транзистора Mosfet

Запрос Корзина 0