Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
Номер модели:MJD112T4G
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:8600pcs
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
DPAK для поверхностных применений держателя
ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ
2 АМПЕРА
100 ВОЛЬТ
20 ВАТТ
Конструированный для общецелевой силы и переключать как выход или задающие каскады в применениях как регуляторы переключения, конвертеры, и усилители силы.
Особенности
• Пакеты Pb−Free доступны
• Руководство сформированное для поверхностных применений держателя в пластиковых рукавах (никакой суффикс)
• Прямая версия руководства в суффикс пластиковых рукавов ("−1»)
• Версия сформированная руководством в ленте 16 mm и вьюрке («T4» и суффикс «RL»)
• Электрически подобный популярной серии TIP31 и TIP32
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
| Оценка | Символ | Макс | Блок |
| Напряжение тока Collector−Emitter | VCEO | 100 | Vdc |
| Напряжение тока Collector−Base | VCB | 100 | Vdc |
| Напряжение тока Emitter−Base | VEB | 5 | Vdc |
− течения сборника непрерывное Пик | IC | 2 4 | Adc |
| Ток базы | IB | 50 | mAdc |
Диссипация полной силы @ TC = 25°C Derate над 25°C | PD | 20 0,16 | W W/°C |
Полные ЖИВОТИКИ Dissipation* силы @ = 25°C Derate над 25°C | PD | 1,75 0,014 | W W/°C |
| Диапазон температур соединения работать и хранения | TJ, Tstg | −65 до +150 | °C |
Максимальные оценки те значения за которое повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложили к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.
ОТМЕЧАТЬ ДИАГРАММЫ
РАЗМЕРЫ ПАКЕТА
DPAK
СЛУЧАЙ 369C
ВОПРОС O
DPAK−3
СЛУЧАЙ 369D−01
ВОПРОС B
Транзисторы mosfet наивысшей мощности MJD112T4G, комплементарные транзисторы силы DarliCM GROUPon
Запрос Корзина
0