Транзистор быстрое S-IGBT Mosfet силы SGP02N120 в NPT-технологии
Номер модели:SGP02N120
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:8300pcs
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120
Быстрое S-IGBT в NPT-технологии
• 40% более низкое Eoff сравненное к предыдущему поколению
• Короткое замыкание выдерживает время – 10 µs
• Конструированный для:
- Управления мотора
- Инвертор
- SMPS
• Предложения NPT-технологии:
- очень туго распределение параметра
- высокая пересеченность, поведение температуры стабилизированное
- параллельная переключая возможность
Максимальные оценки
| Параметр | Символ | Значение | Блок |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | VCE | 1200 | V |
Течение сборника DC TC = 25°C TC = 100°C | IC | 6,2 2,8 | |
| Пульсированное течение сборника, tp ограничивалось Tjmax | ICpuls | 9,6 | |
| Поверните безопасное ≤ 1200V рабочей зоны VCE, ≤ 150°C Tj | 9,6 | ||
| напряжение тока Ворот-излучателя | VGE | ±20 | V |
| Энергия лавины, одиночный ИМП ульс IC = 2A, VCC = 50V, RGE = 25Ω, начало на Tj = 25°C | EAS | 10 | mJ |
| Короткое замыкание выдерживает время1) VGE = 15V, 100V ≤ 1200V ≤ VCC, ≤ 150°C Tj | tSC | 10 | µs |
| Диссипация силы TC = 25°C | Ptot | 62 | W |
| Работая температура соединения и хранения | Tj, Tstg | -55… +150 | °C |
| Паяя температура, 1.6mm (0,063 внутри.) от случая для 10s | 260 | °C |
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Количество | Бренд | D/C | Пакет |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | FREESCALE | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | МИКРОСХЕМА | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | МИКРОСХЕМА | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | МИКРОСХЕМА | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I/TT | 22350 | МИКРОСХЕМА | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | МИКРОСХЕМА | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | МИКРОСХЕМА | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | МИКРОСХЕМА | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | МИКРОСХЕМА | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | МИКРОСХЕМА | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN | 7708 | МИКРОСХЕМА | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO | 8974 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551-I/SN | 7779 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN | 3957 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5841 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5770 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | МИКРОСХЕМА | 15+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| MCP3421AOT-E/CH | 12828 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN | 3875 | МИКРОСХЕМА | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424-E/SL | 8273 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551-E/SN | 7817 | МИКРОСХЕМА | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN | 4450 | МИКРОСХЕМА | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100-I/SN | 3572 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOP-8 |
| MCP42010-I/P | 12118 | МИКРОСХЕМА | 16+ | DIP-14 |
| MCP4725AOT-E/CH | 6616 | МИКРОСХЕМА | 15+ | SOT23-5 |
| MCP4728AOT-E/UN | 4184 | МИКРОСХЕМА | 12+ | MSOP |
Транзистор быстрое S-IGBT Mosfet силы SGP02N120 в NPT-технологии
Запрос Корзина
0